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    一种异质结太阳能电池及其制作方法
    2.
    发明授权
    一种异质结太阳能电池及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN104362193B

    公开(公告)日：2017-01-04

    申请号：CN201410577959.1

    申请日：2014-10-24

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 张林 ,  王进 ,  任明冲 ,  谷士斌 ,  何延如 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  郭铁 ,  孟原

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法，在背光面的p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成背面金属极，由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，或者在界面形成金属化合物，使其在界面形成反阻挡层或者隧穿层，因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，故金属薄膜/p型非晶硅界面的界面电阻很小，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比，避免了TCO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。而且本发明为倒置结构的太阳能电池，避免了金属薄膜对的光吸收，从而避免金属薄膜的光吸收而制约了电池的短路电流。

    一种异质结太阳能电池及其制作方法
    4.
    发明公开
    一种异质结太阳能电池及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN104362193A

    公开(公告)日：2015-02-18

    申请号：CN201410577959.1

    申请日：2014-10-24

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 张林 ,  王进 ,  任明冲 ,  谷士斌 ,  何延如 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  郭铁 ,  孟原

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法，在背光面的p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成背面金属极，由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，或者在界面形成金属化合物，使其在界面形成反阻挡层或者隧穿层，因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，故金属薄膜/p型非晶硅界面的界面电阻很小，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比，避免了TCO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。而且本发明为倒置结构的太阳能电池，避免了金属薄膜对的光吸收，从而避免金属薄膜的光吸收而制约了电池的短路电流。

    一种硅异质结太阳能电池及其制备方法
    6.
    发明授权
    一种硅异质结太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106340559B

    公开(公告)日：2018-01-02

    申请号：CN201610947227.6

    申请日：2016-10-26

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 任明冲 ,  谷士斌 ,  何延如 ,  王进 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括：非晶硅层形成步骤：在硅片的正面和背面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤：在硅片正面和背面的非晶硅层表面沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤：在硅片的正面和背面的透明导电膜层表面形成电极；焊带焊接步骤：将焊带焊接到电极的主栅线上；减反膜层形成步骤：在硅片的正面，和/或背面的电极表面沉积减反膜，形成减反膜层。基于该方法，本发明无需额外制备镂空模具，因而可以简化工艺，从而降低成本；此外，可以在硅片的正面和/或背面的整版位置制备减反膜层，大大增加了电池的减反面积，进而可以提高电池的发电效率。

    一种硅异质结太阳能电池及其制备方法
    7.
    发明公开
    一种硅异质结太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106340559A

    公开(公告)日：2017-01-18

    申请号：CN201610947227.6

    申请日：2016-10-26

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 任明冲 ,  谷士斌 ,  何延如 ,  王进 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1876

    摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括：非晶硅层形成步骤：在硅片的正面和背面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤：在硅片正面和背面的非晶硅层表面沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤：在硅片的正面和背面的透明导电膜层表面形成电极；焊带焊接步骤：将焊带焊接到电极的主栅线上；减反膜层形成步骤：在硅片的正面，和/或背面的电极表面沉积减反膜，形成减反膜层。基于该方法，本发明无需额外制备镂空模具，因而可以简化工艺，从而降低成本；此外，可以在硅片的正面和/或背面的整版位置制备减反膜层，大大增加了电池的减反面积，进而可以提高电池的发电效率。

    一种硅异质结太阳能电池的制作方法
    8.
    发明公开
    一种硅异质结太阳能电池的制作方法 有权

    公开(公告)号：CN104112795A

    公开(公告)日：2014-10-22

    申请号：CN201410368289.2

    申请日：2014-07-30

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 田小让 ,  王进 ,  谷士斌 ,  张林 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/20

    CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/202

    摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池中的a-Si:H/c-Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。

    一种硅异质结太阳能电池及其制备方法
    9.
    发明授权
    一种硅异质结太阳能电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105895713B

    公开(公告)日：2018-03-30

    申请号：CN201610436275.9

    申请日：2016-06-17

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 杨荣 ,  任明冲 ,  张林 ,  王进 ,  代玲玲 ,  张树旺 ,  李宝胜 ,  蔡明 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明的硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底；非晶硅层；前电极；其中，前电极包括：第一透明电极和第一金属电极；背电极；其中，背电极包括：第二透明电极和第二金属电极；以及，其中，第一透明电极和/或第二透明电极为金属硅化物膜。根据本发明的硅异质结太阳能电池的制备方法包括：非晶硅层沉积步骤；透明电极生成步骤；金属电极沉积步骤。根据本发明方法制备得到的硅异质结太阳能电池的透明电极为金属硅化物膜，其化学稳定性和热稳定性良好，因此硅异质结太阳能电池使用寿命长，光电转换效率高。

    一种太阳能电池的边缘漏电处理装置及处理方法
    10.
    发明授权
    一种太阳能电池的边缘漏电处理装置及处理方法 有权

    公开(公告)号：CN105304767B

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：CN201510810463.9

    申请日：2015-11-19

    申请人： 新奥光伏能源有限公司

    发明人： 张林 ,  任明冲 ,  王进 ,  韩丽 ,  何延如 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  孟原 ,  郭铁

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种太阳能电池的边缘漏电处理装置及处理方法，用以解决现有技术对太阳能电池边缘漏电处理时存在的不足，提高电池的转换效率。太阳能电池的边缘漏电处理装置包括：刻蚀液槽、偏压电源、至少一条导线和电流检测装置；刻蚀液槽用于盛放刻蚀溶液；偏压电源设置于刻蚀液槽外部，通过导线分别与待处理的太阳能电池的正背电极相连，用于为放置于刻蚀液槽中的太阳能电池施加反向偏压，使得太阳能电池的边缘漏电区域的刻蚀速率大于边缘非漏电区域的刻蚀速率；电流检测装置设置于刻蚀液槽外部，与偏压电源相连，用于检测太阳能电池的正背电极之间的电流值，当该电流值小于预设电流值时，发送控制信号给偏压电源，控制偏压电源停止工作。