利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN103456603A 在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜 有权

  • 专利标题： 在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
  • 专利标题（英）： Method for preparing gallium oxide film on gallium series heterogeneous semiconductor substrate and gallium oxide film
  • 申请号： CN201310401102.X
    申请日： 2013-09-05
  • 公开(公告)号： CN103456603A
    公开(公告)日： 2013-12-18
  • 发明人: 夏晓川 , 柳阳 , 申人升 , 梁红伟 , 杜国同 , 胡礼中
  • 申请人： 大连理工大学
  • 申请人地址： 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
  • 专利权人： 大连理工大学
  • 当前专利权人： 大连理工大学
  • 当前专利权人地址： 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
  • 代理机构： 大连星海专利事务所
  • 代理商 裴毓英
  • 主分类号： H01L21/02
  • IPC分类号： H01L21/02
在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
摘要：
本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
摘要（英）：

The invention provides a method for preparing a gallium oxide film on a gallium series heterogeneous semiconductor substrate and the gallium oxide film. The method for preparing the gallium oxide film on the gallium series heterogeneous semiconductor substrate comprises the following steps: selecting a gallium series semiconductor substrate, cleaning the surface of the gallium series semiconductor substrate, then in an atmosphere containing the oxygen partial pressure, adopting external energy to process the gallium series semiconductor substrate to open chemical bonds, formed by gallium atoms and other component atoms, on the surface area of the gallium series semiconductor substrate, enabling the gallium atoms and oxygen atoms in the atmosphere to be combined to form gallium-oxygen bonds, and finally growing the gallium oxide film on the processed gallium series heterogeneous semiconductor substrate through the gallium oxide film growing technology. The method for preparing the gallium oxide film on the gallium series heterogeneous semiconductor substrate is scientific and reasonable in step, the various problems in the prior art are solved, and the defect density of a heteroepitaxial growth gallium oxide film is effectively reduced.

公开/授权文献
0/0