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公开(公告)号：CN108170910A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711344193.2
申请日：2017-12-15
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法，本发明采用半导体欧姆接触各电极间距相同，而电极宽度不同的方案，由此带来了新的更加准确的欧姆接触电阻计算模型。方案简单、易用、准确，由于在该方案中考虑到实际情况中金‑半接触下方材料本身的方块电阻变化，相对于传统方案，获得的实验数据更加准确，能够满足实际工艺变化的要求，因此是一种更加有效的评估欧姆接触特性的技术方案。本技术方案模型能够对欧姆接触电极进行全面评估，同时准确提取电极间材料的方块电阻、接触电极下方材料的方块电阻以及比接触电阻率等参数，对半导体器件的设计参考具有积极的指导性意义。
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公开(公告)号：CN103456603A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN1738001A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510046906.8
申请日：2005-07-19
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/40
摘要： 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统生长p型ZnO薄膜的工艺方法，其特征是，将掺杂源气体NO由掺杂源气路输入到射频等离子发生器，调节射频功率达到起辉，离化后再进入反应室；调节衬底片托盘旋转，生长温度为250～650℃，调节Zn源载气Ar气流量为1～10sccm，氧气流量为10～500sccm，通入反应室，进行ZnO薄膜生长；本发明的效果和益处是提供一种用适合工业化生产的MOCVD设备生长p型ZnO薄膜的工艺方法，克服p型ZnO制取困难的问题，进而可制备出电注入p－n结型ZnO光电器件。
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公开(公告)号：CN105576020B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610109041.3
申请日：2016-02-26
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i‑GaN层、栅介质层和钝化层，i‑GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层且与漏电极接触的漏电极焊盘。本发明能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号：CN103469173B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310414275.5
申请日：2013-09-12
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C23C16/40
摘要： 本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜，空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃，对衬底进行热处理；将托盘温度降到预定生长温度后，在预设压强范围内继续对反应室抽气；向反应室内通入镓源、氧源和掺杂源，实现氧化镓膜的外延生长；当氧化镓膜生长过程结束后，对氧化镓膜进行原位热处理或直接将氧化镓膜缓慢降温取样或取样后再进行热处理，得到空穴导电特性氧化镓膜。本发明步骤科学、合理，克服了现有技术的诸多问题，提供了一种有效的受主掺杂途径，能制备具有不同空穴浓度的氧化镓膜。
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公开(公告)号：CN102012438A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010296998.6
申请日：2010-09-26
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法，属于信息技术领域。本发明的技术特征是通过绕水平轴将石墨舟旋转180度的方式使已完成生长使命的生长液在重力作用下自动地从外延片上脱落下来，从而可避免由较高的微探尖造成的生长液在微探尖的表面上的残留问题。本发明的效果和益处是能够简单有效地改进基于选择液相外延技术制备的GaAs集成式SNOM传感器的工作性能。
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公开(公告)号：CN101255550A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810010104.5
申请日：2008-01-13
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做为p型ZnO的掺杂源，利用金属有机物化学气相沉积方法制备锑掺杂p型ZnO薄膜。在衬底温度为250℃～650℃时，通过调节锑的金属有机物与锌的金属有机物源的载气流量来控制锑掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种可工业化生产移植的金属有机物化学气相沉积方法制备高质量、可控性强的p型ZnO的生长技术，克服p型ZnO掺杂的困难，进而实现ZnO的p－n结型光电器件。
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公开(公告)号：CN100375253C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200510046906.8
申请日：2005-07-19
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L21/365 , H01L33/00 , C23C16/44 , C23C16/40
摘要： 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统生长p型ZnO薄膜的工艺方法，其特征是，将掺杂源气体NO由掺杂源气路输入到射频等离子发生器，调节射频功率达到起辉，离化后再进入反应室；调节衬底片托盘旋转，生长温度为250～650℃，调节Zn源载气Ar气流量为1～10sccm，氧气流量为10～500sccm，通入反应室，进行ZnO薄膜生长；本发明的效果和益处是提供一种用适合工业化生产的MOCVD设备生长p型ZnO薄膜的工艺方法，克服p型ZnO制取困难的问题，进而可制备出电注入p-n结型ZnO光电器件。
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公开(公告)号：CN1716653A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510046648.3
申请日：2005-06-09
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，本发明涉及一种ZnO－GaN复合衬底的GaN发光器件及其制备方法。其特征是器件由衬底、GaN缓冲层，n－GaN下限制层，InGaN多量子阱有源层，p－GaN上限制层，p－GaN盖层等部件构成，衬底由ZnO单晶基底和GaN上包覆层、抗腐蚀的下包覆层构成的复合衬底，在衬底和GaN缓冲层之间还生长一层ZnO剥离层和一层GaN抗分解层。本发明的效果和益处是可提高GaN系器件薄膜材料的质量，改善发光器件的特性，同时易于将器件薄膜材料与衬底分离，复合衬底可以重复使用，器件成本大大降低。
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公开(公告)号：CN108197359B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201711401180.4
申请日：2017-12-22
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G06F30/3953 , G06F30/398
摘要： 本发明公开了一种欧姆接触电极有效宽度的计算和判定方法。本发明通过设计电极线布局、测量以及计算的方式获得电极有效宽度数值，从而在有效节省电极布局空间的同时保证芯片电极间饱和电流大小不受影响。本发明引入衡量因子k(＝RV/RC)，选取k值曲线变化率最大位置(即取最大值)对应的电极宽度值作为芯片电极有效宽度值(wE)。本专利申请为半导体芯片研究和生产的科研工作者在设计芯片电极布局时提供技术参考，为了获得芯片目标饱和电流值，如何设计制作欧姆接触电极和计算得到有效电极宽度，最后如何获得最合理的电极宽度设计值。
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