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CN103459137A 用于石墨烯MOSFET的氮化物栅极电介质 有权 转让

用于石墨烯MOSFET的氮化物栅极电介质
摘要：
一种半导体结构，其包括：衬底；所述衬底上的石墨烯层；所述石墨烯层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述漏电极分开预定尺寸；所述石墨烯层上的氮化物层，其位于所述源电极与所述漏电极之间；以及所述氮化物层上的栅电极，其中所述氮化物层为用于所述栅电极的栅极电介质。
摘要（英）：

A semiconductor structure which includes a substrate; a graphene layer on the substrate; a source electrode and a drain electrode on the graphene layer, the source electrode and drain electrode being spaced apart by a predetermined dimension; a nitride layer on the graphene layer between the source electrode and drain electrode; and a gate electrode on the nitride layer, wherein the nitride layer is a gate dielectric for the gate electrode.

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