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公开(公告)号：CN103378082B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310124655.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/1606 , G01L9/0042 , G01L9/0051 , H01L27/0802 , H01L29/0649
Abstract: 本发明涉及石墨烯压力传感器。一种半导体纳米压力传感器器件具有石墨烯膜，所述石墨烯膜悬置在形成于半导体衬底中的开放腔之上。悬置的石墨烯膜用作活动机电膜以感测压力，其可被制造为非常薄，厚度为约1个原子层到约10个原子层，以改善半导体压力传感器器件的灵敏度和可靠度。
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公开(公告)号：CN103578955B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201310314122.3
申请日：2013-07-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 朱文娟
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/417
CPC classification number: H01L23/485 , B82Y10/00 , H01L23/5256 , H01L23/53276 , H01L27/11206 , H01L29/1606 , H01L29/417 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：形成场效应晶体管FET），以及形成包括石墨烯层并且电连接到所述FEF的熔丝。
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公开(公告)号：CN103459137A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280013918.9
申请日：2012-03-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/518 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78684
Abstract: 一种半导体结构，其包括：衬底；所述衬底上的石墨烯层；所述石墨烯层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述漏电极分开预定尺寸；所述石墨烯层上的氮化物层，其位于所述源电极与所述漏电极之间；以及所述氮化物层上的栅电极，其中所述氮化物层为用于所述栅电极的栅极电介质。
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公开(公告)号：CN103376275A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310131624.2
申请日：2013-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , G·A·斯托洛维茨基 , 朱文娟
CPC classification number: C12Q1/6869 , B82Y5/00 , G01N33/48721 , Y10T436/143333
Abstract: 本发明涉及用于电区分碱基或识别生物分子的方法以及纳米器件。提供了用于纳米器件的技术。容器被膜分为两部分。穿过膜形成纳米孔，且该纳米孔连接容器的两部分。纳米孔和容器的两部分被填充了离子缓冲剂。膜包括石墨烯层和绝缘层。石墨烯层被布线到第一和第二金属衬垫以形成石墨烯晶体管，其中，用经过纳米孔的电荷来调节流经石墨烯晶体管的晶体管电流。
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公开(公告)号：CN101156246A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011514.0
申请日：2006-04-19
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 朱文娟 , 迈克尔·P.·储德泽克 , 奥莱格·格鲁斯切恩科夫 , 朴大奎 , 关口章久
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28097 , H01L21/28229 , H01L21/823857 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/517
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，包括在基础栅电介质层(53)上形成均匀的扩散控制稳定材料的缓冲层，然后形成包括过渡金属原子源的均匀层，之后退火所述结构以将过渡金属原子从它们的源扩散经过扩散控制材料并进入基础栅电介质层(53)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103459137B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280013918.9
申请日：2012-03-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/518 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78684
Abstract: 一种半导体结构，其包括：衬底；所述衬底上的石墨烯层；所述石墨烯层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述漏电极分开预定尺寸；所述石墨烯层上的氮化物层，其位于所述源电极与所述漏电极之间；以及所述氮化物层上的栅电极，其中所述氮化物层为用于所述栅电极的栅极电介质。
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公开(公告)号：CN103247679B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210495135.0
申请日：2012-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/02617 , H01L21/02661 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/66045 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 本发明涉及石墨烯器件用的具有低等效氧化物厚度的双层栅极电介质。在石墨烯层的最上表面上设置氮化硅层，然后在所述氮化硅层的最上表面上设置二氧化铪层。所述氮化硅层用作所述二氧化铪层的润湿剂，由此阻止在所述石墨烯层的顶上形成不连续的二氧化铪柱。一起形成低EOT双层栅极电介质的氮化硅层和二氧化铪层在石墨烯层的顶上呈现连续的形态。
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公开(公告)号：CN103376275B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310131624.2
申请日：2013-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 彭红波 , G·A·斯托洛维茨基 , 朱文娟
CPC classification number: C12Q1/6869 , B82Y5/00 , G01N33/48721 , Y10T436/143333
Abstract: 本发明涉及用于电区分碱基或识别生物分子的方法以及纳米器件。提供了用于纳米器件的技术。容器被膜分为两部分。穿过膜形成纳米孔，且该纳米孔连接容器的两部分。纳米孔和容器的两部分被填充了离子缓冲剂。膜包括石墨烯层和绝缘层。石墨烯层被布线到第一和第二金属衬垫以形成石墨烯晶体管，其中，用经过纳米孔的电荷来调节流经石墨烯晶体管的晶体管电流。
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公开(公告)号：CN103227203B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310030301.4
申请日：2013-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 朱文娟
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/78606 , B81B2201/038 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B82Y30/00 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/66045 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/78684
Abstract: 本发明涉及用悬置石墨烯膜形成的纳米器件。使用在半导体结构的开放腔之间悬置的石墨烯膜构造诸如纳米探针和纳米刀器件的半导体纳米器件。所述悬置的石墨烯膜用作机电膜，所述机电膜可被制造为非常薄，厚度为一个原子或数个原子的厚度，从而极大地提高了半导体纳米探针和纳米刀器件的灵敏度和可靠度。
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公开(公告)号：CN103378082A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310124655.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L29/1606 , G01L9/0042 , G01L9/0051 , H01L27/0802 , H01L29/0649
Abstract: 本发明涉及石墨烯压力传感器。一种半导体纳米压力传感器器件具有石墨烯膜，所述石墨烯膜悬置在形成于半导体衬底中的开放腔之上。悬置的石墨烯膜用作活动机电膜以感测压力，其可被制造为非常薄，厚度为约1个原子层到约10个原子层，以改善半导体压力传感器器件的灵敏度和可靠度。
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