Invention Grant
- Patent Title: 发光元件
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Application No.: CN201280015574.5Application Date: 2012-03-01
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Publication No.: CN103518268BPublication Date: 2016-05-18
- Inventor: 山崎舜平 , 濑尾哲史 , 下垣智子 , 大泽信晴 , 井上英子 , 门间裕史 , 尾坂晴惠
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 李英
- Priority: 2011-074272 2011.03.30 JP
- International Application: PCT/JP2012/055891 2012.03.01
- International Announcement: WO2012/132809 EN 2012.10.04
- Date entered country: 2013-09-27
- Main IPC: H01L51/50
- IPC: H01L51/50
Abstract:
提供一种具有25%左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层，发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间，并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低驱动电压（2.6V）下，发光元件显示极高的发光效率（74.3lm/W的功率效率，24.5%的外部量子效率，19.3%的能量效率）。
Public/Granted literature
- CN103518268A 发光元件 Public/Granted day:2014-01-15
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IPC分类:
