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发明公开
CN103534791A 半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法 有权

  • 专利标题： 半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法
  • 专利标题（英）： Method for manufacturing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method for manufacturing solid-state image pickup element
  • 申请号： CN201280023592.8
    申请日： 2012-03-19
  • 公开(公告)号： CN103534791A
    公开(公告)日： 2014-01-22
  • 发明人: 门野武 , 栗田一成
  • 申请人： 胜高股份有限公司
  • 申请人地址： 日本东京都
  • 专利权人： 胜高股份有限公司
  • 当前专利权人： 胜高股份有限公司
  • 当前专利权人地址： 日本东京都
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 何欣亭; 王忠忠
  • 优先权： 2011-107931 2011.05.13 JP; 2011-107943 2011.05.13 JP
  • 国际申请： PCT/JP2012/001892 2012.03.19
  • 国际公布： WO2012/157162 JA 2012.11.22
  • 进入国家日期： 2013-11-13
  • 主分类号： H01L21/322
  • IPC分类号： H01L21/322 ;  H01L21/20 ;  H01L21/265 ;  H01L27/146
半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法
摘要：
本发明提供一种更加有效率地制造能通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片（100）的制造方法，包括：第一工序，对半导体晶片（10）照射离子团（16），在该半导体晶片的表面（10A）形成由离子团（16）的构成元素构成的改性层（18）；以及第二工序，在半导体晶片（10）的改性层（18）上形成外延层（20）。
摘要（英）：

The present invention provides a method for more efficiently manufacturing semiconductor epitaxial wafers which can suppress metal contamination by having higher gettering performance. This method for manufacturing a semiconductor epitaxial wafer (100) is characterized in having: a first step, wherein cluster ions (16) are applied to a semiconductor wafer (10), and a modified layer (18) composed of constituent elements of the cluster ions (16) is formed on the surface (10A) of the semiconductor wafer; and a second step, wherein an epitaxial layer (20) is formed on the modified layer (18) of the semiconductor wafer (10).

公开/授权文献
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