本发明提供一种半导体器件制造方法，通过回刻蚀硬掩膜层工艺形成第一开口，通过在第一开口中的内侧墙、刻蚀硬掩膜层、沉积第二多晶硅层以及去除硬掩膜层等步骤，形成了具有第一多晶硅层和第二多晶硅层堆叠成的倒置“T”型或哑铃状的新的多晶硅栅极的半导体器件，其用于接触金属以形成自对准硅化物的多晶硅表面积大于第一多晶硅层的上表面面积，进而形成更大面积区域的自对准硅化物，降低栅极电阻；本发明还提供一种半导体器件，其多晶硅栅极呈倒置“T”型或哑铃状，其用于接触金属以形成自对准硅化物的多晶硅表面积大于第一多晶硅层的上表面面积，进而形成更大面积区域的自对准硅化物，降低栅极电阻。