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发明授权
CN103608917B 超薄功率晶体管和具有定制占位面积的同步降压变换器 有权

超薄功率晶体管和具有定制占位面积的同步降压变换器
摘要：
本发明涉及一种封装的功率晶体管器件（100），其具有引线框，所述引线框包括扁平板片（110）和被所述板片隔开的共面扁平条带（120），所述板片具有第一厚度（110a），并且所述条带具有比所述第一厚度更小的第二厚度（120a），所述板片和条带具有端子（212；121a）。一种场效应功率晶体管芯片（210），其具有第三厚度（210a），在所述芯片一侧的第一和第二接触焊盘，以及在所述芯片相反侧的第三接触焊盘（211），所述第一焊盘被连接到所述板片，所述第二焊盘被连接到所述条带，并且所述第三焊盘与所述端子共面。板片与条带之间厚度差异以及芯片与端子之间的间隔由封装化合物（130）填充，其中所述化合物具有与所述板片表面（111）共面的表面（101），以及与所述第三焊盘（211）和端子（212；212a）共面的相反表面（102），所述表面之间的距离（104）等于所述第一（110a）和第三（210a）厚度的总和。
摘要（英）：

A packaged power transistor device (100) having a leadframe including a flat plate (110) and a coplanar flat strip (120) spaced from the plate, the plate having a first thickness (110a) and the strip having a second thickness (120a) smaller than the first thickness, the plate and the strip having terminals (212; 121a). A field-effect power transistor chip (210) having a third thickness (210a), a first and a second contact pad on one chip side, and a third contact pad (211) on the opposite chip side, the first pad being attached to the plate, the second pad being attached to the strip, and the third pad being coplanar with the terminals. Encapsulation compound (130) filling the thickness difference between plate and strip, and spaces between chip and terminals, wherein the compound has a surface (101) coplanar with the plate surface (111) and the opposite surface (102) coplanar with the third pad (211) and the terminals (212; 212a), the distance (104) between the surfaces being equal to the sum of the first (110a) and third (210a) thicknesses.

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