发明授权
CN103666473B 稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing europium ion doped lanthanum aluminum long afterglow light-emitting film
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申请号: CN201310581766.9申请日: 2013-11-18
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公开(公告)号: CN103666473B公开(公告)日: 2015-05-20
- 发明人: 吴刚 , 翟学珍 , 刘谭谭 , 张俊 , 杨平雄 , 褚君浩
- 申请人: 华东师范大学
- 申请人地址: 上海市普陀区中山北路3663号
- 专利权人: 华东师范大学
- 当前专利权人: 华东师范大学
- 当前专利权人地址: 上海市普陀区中山北路3663号
- 代理机构: 上海麦其知识产权代理事务所
- 代理商 董红曼
- 主分类号: C09K11/80
- IPC分类号: C09K11/80 ; H01L33/50
摘要:
本发明公开了一种稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜的制备方法,在石英衬底基片上旋涂按溶胶凝胶法制得的前驱体溶液,形成凝胶薄膜,再将前述凝胶薄膜置于热退火炉中进行分段热处理,得到所述稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜;其中,制备所述前驱体的原料包括乙酸铝、乙酸镧以及稀土氧化铕。本发明制备方法的反应过程易于控制,在相对较低温度下反应,原料易得,设备要求低,操作简单,反应周期短,重复性好,制备成本低,可得到高质量产物,稀土掺杂均匀,薄膜晶粒尺寸较小,具广泛应用前景。
公开/授权文献
- CN103666473A 稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜的制备方法 公开/授权日:2014-03-26