发明公开
- 专利标题: 光学用基材以及半导体发光元件
- 专利标题(英): Optical substrate and semiconductor light-emitting element
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申请号: CN201280039901.0申请日: 2012-08-30
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公开(公告)号: CN103748699A公开(公告)日: 2014-04-23
- 发明人: 山口布士人 , 古池润 , 前田雅俊
- 申请人: 旭化成电子材料株式会社
- 申请人地址: 日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地
- 专利权人: 旭化成电子材料株式会社
- 当前专利权人: 旭化成株式会社
- 当前专利权人地址: 日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地
- 代理机构: 上海市华诚律师事务所
- 代理商 肖华
- 优先权: 2011-188804 2011.08.31 JP; 2011-188803 2011.08.31 JP; 2011-229121 2011.10.18 JP; 2012-027550 2012.02.10 JP; 2012-027549 2012.02.10 JP; 2012-027548 2012.02.10 JP; 2012-089230 2012.04.10 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/071998 2012.08.30
- 国际公布: WO2013/031887 JA 2013.03.07
- 进入国家日期: 2014-02-14
- 主分类号: H01L33/22
- IPC分类号: H01L33/22 ; C30B29/38 ; G03F7/24 ; H01L21/027
摘要:
本发明提供一种具有通过减少导体层中的错位缺陷数改善内量子效率IQE、并提高LED的发光效率的微细结构体的光学用基材。光学用基材(1)具有微细结构层(12),所述微细结构层(12)包含由从基材(11)主面向面外方向延伸的多个凸部(13)构成的点,微细结构层(12)在基材(11)主面内的第一方向上具有多个点构成以间距Py排列而成的多个点列(13-1~13-N),在基材(11)主面内的与第一方向正交的第二方向上具有多个点以间距Px排列而成的多个点列,间距Py以及间距Px中的任意一方为纳米尺度的固定间隔,另一方为纳米尺度的不固定间隔,或者两者均为纳米尺度的不固定间隔。
公开/授权文献
- CN103748699B 为纳米尺度的不固定间隔,或者两者均为纳米尺光学用基材以及半导体发光元件 度的不固定间隔。 公开/授权日:2017-03-15
IPC分类: