本发明公开了酸浆苦素B晶体，其属于单斜晶系，空间群为P2(1)，晶胞参数a=12.4996(2)，b=14.35620(10)，c=14.75190(10)，β=99.8740(10)°，晶胞体积：2607.97(5)3，晶体密度：1.382mg/m3，Z=4，F(000)=1152，最终偏离因子R1=0.0407，wR2=0.1056。也公开了晶体的提取方法，包括以下步骤：1）将酸浆植物材料进行浸提，除溶剂，得浸膏；2）将浸膏反复用石油醚溶解其中的可溶部分，静置，过滤；3）将经过石油醚处理后的浸膏反复用乙酸乙酯溶解，静置，过滤，合并滤液，除溶剂，得到固形物；4）将固形物溶解，硅胶拌样，干法上柱，梯度洗脱，收集洗脱液，反复柱层析，最后将洗脱液除溶剂即可。也公开了酸浆苦素B晶体在制备消炎药物中的应用。本发明得到的晶体具有较高的抗炎活性。