发明授权
CN103762231B 一种低功耗IGBT器件及其外围电路
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种低功耗IGBT器件及其外围电路
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申请号: CN201410049066.X申请日: 2014-02-12
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公开(公告)号: CN103762231B公开(公告)日: 2016-08-17
- 发明人: 任敏 , 陈伟中 , 刘永 , 王为 , 姚鑫 , 杨珏琳 , 李泽宏 , 张金平 , 张波
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都宏顺专利代理事务所
- 代理商 李顺德; 王睿
- 主分类号: H01L29/739
- IPC分类号: H01L29/739
摘要:
本发明涉及电子技术,具体的说是涉及一种通过工作点自调节实现低功耗的IGBT及其外围自检测与反馈电路。本发明的原理是:利用IGBT工作时电子电流与空穴电流的比值与Vce和Eoff具有对应关系,通过采样检测IGBT工作时的电子电流与空穴电流的比值,从而反馈控制IGBT的栅压,调节器件的工作点,使器件在实际应用时具有最佳的关断损耗与正向导通压降的折中关系。本发明的有益效果为,通过采样电子电流与空穴电流比值,来反馈调节栅信号,使IGBT的工作点设置在最低能耗点,实现关断损耗和正向导通压降的最佳折中,从而提高了IGBT的综合性能。本发明尤其适用于IGBT器件。
公开/授权文献
- CN103762231A 一种低功耗IGBT器件及其外围电路 公开/授权日:2014-04-30
IPC分类: