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公开(公告)号：CN113790959A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111030473.2
申请日：2021-09-03
申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC分类号： G01N3/08
摘要： 本发明公开了一种金属薄板屈服应力测量工具，包括本体，所述本体具有一曲面，所述曲面的曲率自始端向末端逐渐增大，且所述曲面的曲率与曲面的长度呈函数关系。本发明还公开一种金属薄板屈服应力测试方法，基于金属薄板屈服应力测量工具，包括步骤：获取金属薄板标本，测量金属薄板标本的初始曲率半径Rr；提供测量工具，使金属薄板标本沿曲面弯曲，释放金属薄板标本，记录从曲面的始端到曲率变化转折点的长度Lm；根据长度Lm和曲面的曲率函数公式进行计算，获取曲率半径Rm；利用公式式中E是金属薄板标本的材料的弹性模量，t是金属薄板标本的厚度，得到金属薄板标本的屈服应力σy。本发明提供的金属薄板屈服应力测量工具及方法，快速测量材料屈服应力。
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公开(公告)号：CN103762231B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410049066.X
申请日：2014-02-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739
摘要： 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种通过工作点自调节实现低功耗的IGBT及其外围自检测与反馈电路。本发明的原理是：利用IGBT工作时电子电流与空穴电流的比值与Vce和Eoff具有对应关系，通过采样检测IGBT工作时的电子电流与空穴电流的比值，从而反馈控制IGBT的栅压，调节器件的工作点，使器件在实际应用时具有最佳的关断损耗与正向导通压降的折中关系。本发明的有益效果为，通过采样电子电流与空穴电流比值，来反馈调节栅信号，使IGBT的工作点设置在最低能耗点，实现关断损耗和正向导通压降的最佳折中，从而提高了IGBT的综合性能。本发明尤其适用于IGBT器件。
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公开(公告)号：CN103956997A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410200405.X
申请日：2014-05-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K7/08
摘要： 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种频率可调占空比可调的PWM波发生电路。本发明的PWM波发生电路，其特征在于，包括参考电流模块、参考电压模块、比较器CMP1、比较器CMP2、逻辑控制模块、PMOS管MP1、NMOS管MN1和电容C1；其中，参考电流模块分别接MP1和MN1的源极；参考电压模块分别接比较器CMP1的同相输入端和比较器CMP2的负相输入端连接；PMOS管的漏极和NMOS管的漏极连接后接比较器CMP1的负相输入端和比较器CMP2的同相输入端，还通过电容C1后接地；比较器CMP1的输出端和比较器CMP2的输出端分别接逻辑控制模块的输入端；逻辑控制模块的输出端接MP1和MN1的栅极。本发明的有益效果为，电路结构简单，成本较低。本发明尤其适用于PWM波发生电路。
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公开(公告)号：CN103762231A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410049066.X
申请日：2014-02-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L22/34 , H01L29/7393
摘要： 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种通过工作点自调节实现低功耗的IGBT及其外围自检测与反馈电路。本发明的原理是：利用IGBT工作时电子电流与空穴电流的比值与Vce和Eoff具有对应关系，通过采样检测IGBT工作时的电子电流与空穴电流的比值，从而反馈控制IGBT的栅压，调节器件的工作点，使器件在实际应用时具有最佳的关断损耗与正向导通压降的折中关系。本发明的有益效果为，通过采样电子电流与空穴电流比值，来反馈调节栅信号，使IGBT的工作点设置在最低能耗点，实现关断损耗和正向导通压降的最佳折中，从而提高了IGBT的综合性能。本发明尤其适用于IGBT器件。
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公开(公告)号：CN113790959B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111030473.2
申请日：2021-09-03
申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC分类号： G01N3/08
摘要： 本发明公开了一种金属薄板屈服应力测量工具，包括本体，所述本体具有一曲面，所述曲面的曲率自始端向末端逐渐增大，且所述曲面的曲率与曲面的长度呈函数关系。本发明还公开一种金属薄板屈服应力测试方法，基于金属薄板屈服应力测量工具，包括步骤：获取金属薄板标本，测量金属薄板标本的初始曲率半径Rr；提供测量工具，使金属薄板标本沿曲面弯曲，释放金属薄板标本，记录从曲面的始端到曲率变化转折点的长度Lm；根据长度Lm和曲面的曲率函数公式进行计算，获取曲率半径Rm；利用公式式中E是金属薄板标本的材料的弹性模量，t是金属薄板标本的厚度，得到金属薄板标本的屈服应
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公开(公告)号：CN104091763B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410323375.1
申请日：2014-07-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种非均匀超结结构的制作方法。本发明的方法为通过对体硅刻蚀之前淀积的光刻胶进行处理，采用多张掩膜板多次叠加曝光，使得待刻蚀区域的光刻胶具有不同的厚度。在随后进行体硅刻蚀中，光刻胶越薄的区域，刻蚀深度越深，因而可以得到深度非均匀的超结结构。本发明的有益效果为，通过不同掩膜板和不同曝光量的结合，可以灵活地形成各种不同深度的超结结构，工艺步骤简单，成本较低。本发明尤其适用于非均匀超结结构的制作。
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公开(公告)号：CN104103522B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410333424.X
申请日：2014-07-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种高耐压超结终端结构的制备方法。本发明的方法为通过两次刻蚀和一次外延填充工艺，在终端区形成比元胞区更深的第二导电类型半导体柱，且在终端区第二导电类型半导体柱顶端引入了第二导电类型场限环结构。本发明的有益效果为，提高了终端区的击穿电压，使雪崩击穿发生在元胞区，由于元胞区具有更强的电流处理能力，器件的可靠性得到提高。本发明尤其适用于高耐压超结终端结构的制备。
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公开(公告)号：CN104183627B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410439266.6
申请日：2014-08-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种表面电场优化的超结功率器件终端结构。本发明提出的优化超结功率器件表面电场的终端结构在超结功率器件终端区表面设置阶梯形第一导电类型半导体轻掺杂区5，使终端区表面电场平坦性得到了理想的改善，提高了器件阻断特性的稳定性，提高了器件的可靠性；同时也提高了器件的耐压能力。本发明尤其适用于超结功率器件终端结构。
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公开(公告)号：CN103956997B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410200405.X
申请日：2014-05-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K7/08
摘要： 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种频率可调占空比可调的PWM波发生电路。本发明的PWM波发生电路，其特征在于，包括参考电流模块、参考电压模块、比较器CMP1、比较器CMP2、逻辑控制模块、PMOS管MP1、NMOS管MN1和电容C1；其中，参考电流模块分别接MP1和MN1的源极；参考电压模块分别接比较器CMP1的同相输入端和比较器CMP2的负相输入端连接；PMOS管的漏极和NMOS管的漏极连接后接比较器CMP1的负相输入端和比较器CMP2的同相输入端，还通过电容C1后接地；比较器CMP1的输出端和比较器CMP2的输出端分别接逻辑控制模块的输入端；逻辑控制模块的输出端接MP1和MN1的栅极。本发明的有益效果为，电路结构简单，成本较低。本发明尤其适用于PWM波发生电路。
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公开(公告)号：CN103996702A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410226730.3
申请日：2014-05-26
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： H01L29/7838 , H01L29/0626 , H01L29/0634
摘要： 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构。本发明在器件终端区中提出终端击穿区，将雪崩击穿点限定在终端击穿区中，从而既避免了元胞击穿的寄生BJT导通问题，又避免了常规终端击穿时的雪崩电流路径过长，造成局部温升的问题，因此能够提高超结功率器件的雪崩耐量和可靠性。本发明的有益效果为，有效的缩短了器件雪崩击穿点在终端时的雪崩电流路径，在不影响器件击穿电压的前提下，提高了器件的抗UIS失效能力，提高了器件的可靠性。本发明尤其适用于超结功率器件。
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