- 专利标题: 通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法
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申请号: CN201410056468.2申请日: 2014-02-19
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公开(公告)号: CN103792245B公开(公告)日: 2016-08-17
- 发明人: 孙程 , 曾毅 , 吴伟 , 华佳捷 , 刘紫微 , 林初城 , 姜彩芬
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号: G01N23/203
- IPC分类号: G01N23/203
摘要:
本发明涉及一种通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法,包括:步骤(1):采用冷镶嵌材料将铜导线熔痕镶嵌以获得经镶嵌的铜导线;步骤(2):对步骤(1)所得的经镶嵌的铜导线进行机械抛光以获得具有光滑无划痕的铜导线截面的经机械抛光的铜导线;步骤(3):对步骤(2)所得的经机械抛光的铜导线进行振动抛光以去除铜导线表面的应力;步骤(4):对步骤(3)所得的铜导线进行离子束刻蚀处理以获得具有适合背散射电子衍射测试的铜导线截面的待测试铜导线;以及步骤(5):对步骤(4)所得的待测试铜导线进行背散射电子衍射测试,根据测试得到的铜导线熔痕区域的晶界取向判定铜导线熔痕的类型。
公开/授权文献
- CN103792245A 通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法 公开/授权日:2014-05-14