公开(公告)号：CN118864360A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410841223.4

申请日：2024-06-27

申请人： 中国特种设备检测研究院

发明人： 车畅 ,  于建明 ,  陈新中 ,  安栋 ,  刘杰 ,  潘清川 ,  廖晓炜

IPC分类号： G06T7/00 ,  G01N23/20058 ,  G01N23/2055 ,  G01N23/203 ,  G01N23/2251 ,  G01N21/84

摘要： 本发明公开一种异种钢焊接接头蠕变损伤量化诊断及寿命评估方法和系统，涉及焊接损伤检测领域，方法包括获取异种钢焊接接头的第一实验数据；对第一实验数据进行定量化处理，得到第一定量化特征参数，包括孔洞的尺寸、体积分数和析出相的尺寸；获取异种钢焊接接头的第二实验数据；对第二实验数据进行定量化处理，得到第二定量化特征参数，包括晶粒尺寸、几何位错密度、晶界角度、再结晶分数、回复晶粒比例和变形晶粒比例；根据第一、第二定量化特征参数，确定异种钢焊接接头当前所处的寿命阶段以及蠕变剩余寿命。本发明可提高异种钢焊接接头的蠕变组织损伤量化诊断的准确性。

公开(公告)号：CN118794970A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411277591.7

申请日：2024-09-12

申请人： 兰州大学

发明人： 张硕 ,  宋炳华 ,  王响成 ,  赵江涛 ,  王强 ,  陈亮 ,  方开洪

IPC分类号： G01N23/203 ,  G16C60/00 ,  G06F30/25 ,  G06F111/08

摘要： 本发明公开一种硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的检测方法，属于半导体检测技术领域。该方法包括：（1）硅晶体内高对称位点和掺杂占据位点分析及检测沟道设计；（2）不同晶格位点掺杂元素对多沟道方向背散射产额贡献的理论计算；（3）不同沟道方向附近的卢瑟福沟道背散射产额图样的实验测量；（4）掺杂原子占据位置和比例的求解。相比于传统卢瑟福沟道背散射检测，该方法大大提升了掺杂元素占据晶格位置的检测精度，并能够给出不同晶格位置的占据比例；该方法实现了硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的精确、直观检测，在半导体质量评估、新掺杂技术研发以及科学研究等领域有重要应用。

公开(公告)号：CN116183599B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202211543027.6

申请日：2022-12-02

申请人： 苏州大学

发明人： 冯志鑫 ,  吴子彬 ,  王东涛 ,  李一峰 ,  董鑫 ,  毛志福 ,  陈希 ,  罗广瑞 ,  骆顺存 ,  长海博文

IPC分类号： G01N21/84 ,  G01N23/203 ,  G01N1/32

摘要： 本发明属于微观组织检测技术领域，具体涉及一种铝合金微观组织表征的处理方法。研磨铝合金样品的表面，得到待腐蚀样品；将所述待腐蚀样品浸入腐蚀剂中进行腐蚀处理后用醇类物质喷洗，干燥，得到处理样品；所述腐蚀剂为碱金属氢氧化物和镓盐的混合水溶液；将所述处理样品的表面抛光后用醇类物质喷洗，干燥。本发明具有以下优点：操作简便，耗时较短，效率高；腐蚀剂无有害、强腐蚀性化学药品，使用较为安全；无需使用其他昂贵电器设备，成本较低；适用范围广，适用于大部分铝合金；微观组织呈现效果好，电子背散射衍射分析解析率高，利于数据处理。

公开(公告)号：CN118549233A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410599018.1

申请日：2024-05-15

申请人： 武汉科技大学

发明人： 王贞 ,  葛锐 ,  肖欢

IPC分类号： G01N3/04 ,  G01N3/02 ,  G01N3/06 ,  G01N3/08 ,  G01N23/2204 ,  G01Q30/02 ,  G01Q30/20 ,  G01N23/20033 ,  G01N23/203 ,  G01N23/2251

摘要： 一种能提高实验结果精确度的扫描电镜原位拉伸夹具，包括：夹具本体一及二、夹具本体一及二上分别设置的：沉降螺孔及螺栓、插销及插销孔、拉力杆在夹具本体一及二的前端面设置的待测样品固定槽一及二，观测缝，其在夹具本体一及二的后端面设置有备测样品固定槽一及二，并在备测样品固定槽一及二内设有螺孔；将夹具本体一及二的前端面设置成向上倾斜状，在待测样品固定槽上设置槽盖一及二，槽盖一及二固定于待测样品固定槽上。使用方法：备测样品及待测样品的制备；将制备的备测样品通过螺栓固定于固定槽一及二中；将待测样品放置于待测样品固定槽一及二内，后将槽盖一及盖二固定；进行拉伸、检测。本发明使待测样品的EBSD标定率达90％以上，待测样品拉伸断裂后位置位于直线中心段左右偏差率不超过0.5mm。

公开(公告)号：CN116888704B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202280016905.0

申请日：2022-06-03

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： J·格尔林 ,  L·穆劳伊 ,  A·布罗迪 ,  J·斯帕拉斯 ,  M·特伦颇

IPC分类号： H01J37/244 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/203 ,  H01J37/28 ,  H01J37/10

摘要： 本发明涉及具有背面照明的分段检测器装置。所述检测器能够收集且区分二次电子与背向散射的电子。所述检测器包含用于主要电子束通过的通孔。命中样本后，所述经反射的二次电子及背向散射的电子经由垂直结构收集，所述结构具有P+/P‑/N+或N+/N‑/P+组成物，用于穿过所述装置的厚度的完全耗尽。使用经定位于所述装置前侧的场隔离绝缘体对所述装置的有源区域进行分段。

公开(公告)号：CN118424829A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202310046691.8

申请日：2023-01-31

申请人： 上海交通大学

发明人： 章海明 ,  毛喧尧 ,  徐帅 ,  杨重远

IPC分类号： G01N1/36 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N23/20058 ,  G01N23/203

摘要： 一种全流程追踪金属变形、再结晶组织演化的实验装置及方法，包括：设置于上砧板的上模以及相对设置的位于卡槽内下模中的定位块，待测试样设置于定位块内并正对上模，该实验装置通过上模、定位块、下模、卡槽的配合对试样施加平面应变压缩变形。本发明通过有效保护实验样品在复杂变形、热处理过程中的表面质量，保持对样品表面初始、变形、退火前后的观测区域一致，能够直接观察形变晶粒转动、取向差分布、退火静态再结晶形核、晶粒长大和形核优先取向等信息，以分析金属材料变形、再结晶的晶体学规律，为工艺路线设计及优化提供理论支持。

公开(公告)号：CN118318158A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280078215.8

申请日：2022-11-25

申请人： 牛津仪器纳米技术工具有限公司

发明人： 艾莫·温克尔曼

IPC分类号： G01N23/203

摘要： 提供了一种用于分析样品中的晶格畸变的方法。该方法包括：对于样品中的多个目标位置中的每一个：在沿着与所述样品的包含所述目标位置的区域的周边相对应的路径的多个周边位置中的每一个处，获得所述样品的晶格取向信息；以及根据所获得的晶格取向信息，生成所述区域内的所述目标位置的畸变信息，所述畸变信息表示因所述区域内的晶格位错而导致的晶格畸变。包含所述多个目标位置中的一个目标位置的每个区域与包含所述多个目标位置中的不同的一个目标位置的另一区域部分地重叠。该方法还包括输出包括针对所述多个目标位置生成的畸变信息的输出数据集。

公开(公告)号：CN118294485A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410401400.7

申请日：2024-04-03

申请人： 四川赛康智能科技股份有限公司

发明人： 曾德华 ,  向黔川 ,  陈展

IPC分类号： G01N23/203

摘要： 本发明公开了一种电力设备X射线散射线测量方法及图形质量优化方法，所述测量方法包括总射线获取步骤、背面散射线获取步骤、正面散射线获取步骤以及散射线比例获取步骤；所述总射线获取步骤为通过探测器采集探测器设置位置的总射线强度Q1；所述背面散射线获取步骤为通过探测器采集探测器设置位置背面的射线强度Q2；所述正面散射线获取步骤为在第一位置或第二位置上设置有吸收射线机所发出、并作用至探测器的直射线的第三吸收装置，通过探测器采集探测器设置位置正面的射线强度Q3，所述散射线比例获取步骤为获取散射线强度在总射线强度中的比例，所述图形质量优化方法基于测量方法实现，本方法用于获取散射线特征并用于对图形质量进行优化。

公开(公告)号：CN118275478A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410285782.1

申请日：2024-03-13

申请人： 浙江大学

发明人： 张斌 ,  王晋 ,  叶显爵 ,  张雪成 ,  张文强 ,  郭广浩

IPC分类号： G01N23/2202 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35 ,  G01N23/2251 ,  G01B15/06 ,  G01N23/203 ,  G01N23/2206

摘要： 本发明公开了一种用于SEM‑DIC应变场分析的多尺度微纳米散斑制备方法，包括以下步骤：旋涂法在光滑平整的式样表面制备纳米级散斑；确定单粒径宏观数字散斑场的最优参数，生成数字散斑图，制备宏观散斑的掩版；将胶带垫在掩版与式样之间，使得掩版固定于式样中心标距位置，且掩版与式样表面不接触；将带有掩版的式样放置于磁控溅射系统的载物台上，靶材使用InSn合金，使用磁控溅射法获得宏观散斑；对制备得到的散斑进行质量评估，合格后进行DIC分析。本发明提供了一种多尺度微纳米散斑的制备方法，能够支撑原位SEM力学测试过程中多尺度的应变分析。

公开(公告)号：CN111982938B9

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010362647.4

申请日：2020-04-30

申请人： FEI 公司

发明人： J.克卢萨切克 ,  T.图玛

IPC分类号： G01N23/046 ,  G01N23/207 ,  G01N23/203 ,  G01N23/2251 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

摘要： 本发明涉及一种使用带电粒子显微镜检查样品的方法，包括提供带电粒子束和样品的步骤，以及用所述带电粒子束扫描所述样品的至少一部分的步骤。第一检测器用于获得测量的检测器信号，其对应于来自多个采样位置处所述样品的第一类型的发射。根据该方法，提供了数据类元素集，其中每个数据类元素将期望的检测器信号与对应样品信息值相关联。处理测量的检测器信号，并且处理包括：将所述测量的检测器信号与所述的数据类元素集进行比较；确定所述测量的检测器信号属于所述的数据类元素集中的某一个的至少一个概率；以及将至少一个样品信息值和所述至少一个概率分配给多个采样位置中的每一个。最后，可以以数据表示样品信息值和对应的概率。