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公开(公告)号：CN103792245B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410056468.2
申请日：2014-02-19
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： G01N23/203
摘要： 本发明涉及一种通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法，包括：步骤（1）：采用冷镶嵌材料将铜导线熔痕镶嵌以获得经镶嵌的铜导线；步骤（2）：对步骤（1）所得的经镶嵌的铜导线进行机械抛光以获得具有光滑无划痕的铜导线截面的经机械抛光的铜导线；步骤（3）：对步骤（2）所得的经机械抛光的铜导线进行振动抛光以去除铜导线表面的应力；步骤（4）：对步骤（3）所得的铜导线进行离子束刻蚀处理以获得具有适合背散射电子衍射测试的铜导线截面的待测试铜导线；以及步骤（5）：对步骤（4）所得的待测试铜导线进行背散射电子衍射测试，根据测试得到的铜导线熔痕区域的晶界取向判定铜导线熔痕的类型。
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公开(公告)号：CN107782653A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610792690.8
申请日：2016-08-31
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： G01N15/08
CPC分类号： G01N15/088
摘要： 本发明涉及热障涂层气孔率和尺寸分布的统计测量方法，其特征在于，包括：对待测的热障涂层截取全厚度截面试样作为待检平面；将参比材料粘贴于所述待检平面的边缘后置于扫描电镜样品台上，并设置扫面电镜的背散射图像衬度和气孔识别的分割阈值；通过能谱仪控制所述扫面电镜样品台移动，设置分析区域进行气孔率的自动统计；将气孔率的统计数据导入Matlab程序中，分类统计所述热障涂层内气孔率。本发明采用扫描电镜结合能谱仪，在设置的分析区域内进行多视场逐一扫描，依据气孔的衬度阈值进行识别、测量。
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公开(公告)号：CN103792245A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410056468.2
申请日：2014-02-19
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： G01N23/203
摘要： 本发明涉及一种通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法，包括：步骤（1）：采用冷镶嵌材料将铜导线熔痕镶嵌以获得经镶嵌的铜导线；步骤（2）：对步骤（1）所得的经镶嵌的铜导线进行机械抛光以获得具有光滑无划痕的铜导线截面的经机械抛光的铜导线；步骤（3）：对步骤（2）所得的经机械抛光的铜导线进行振动抛光以去除铜导线表面的应力；步骤（4）：对步骤（3）所得的铜导线进行离子束刻蚀处理以获得具有适合背散射电子衍射测试的铜导线截面的待测试铜导线；以及步骤（5）：对步骤（4）所得的待测试铜导线进行背散射电子衍射测试，根据测试得到的铜导线熔痕区域的晶界取向判定铜导线熔痕的类型。
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公开(公告)号：CN105651792A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511011847.0
申请日：2015-12-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： G01N23/04 , G01N15/00 , G01N15/02 , G01N2015/0038
摘要： 本发明提供了一种扫描电镜中透射电子菊池衍射装置及分析方法，该装置包括：用于对样品照射电子束的电子束照射单元；位于所述电子束照射单元下方的背散射电子衍射探测器和样品台；所述样品台配置为使载置于其上的所述样品与水平面之间形成倾斜角；所述探测器具备配置为采集并接收所述样品发出的透射电子信号的磷屏。本发明能够获得清晰的透射电子菊池衍射图谱，实现对纳米尺度晶粒的相鉴定及相比例计算、纳米尺度织构及取向差分析，晶粒尺寸及形状的分析，晶界、亚晶及孪晶性质的分析等。
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公开(公告)号：CN109030530B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201810415355.5
申请日：2018-05-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2202
摘要： 本发明提供一种用于扫描电子显微镜测定的珠光颜料截面样品的制备方法及测定方法，所述制备方法包括：将液态碳导电胶和珠光颜料混合并涂覆在硅片一侧表面，干燥后得到固定有珠光颜料涂覆层的初始样品，所述珠光颜料至少包覆一层连续膜层且膜层厚度在2 nm以上；对所得初始样品进行离子束截面抛光，得到所述珠光颜料截面样品，所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为3～7 kV；样品抛光时间可为120～480分钟；电流为1.5～3mA。
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公开(公告)号：CN109030530A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810415355.5
申请日：2018-05-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2202
CPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2202
摘要： 本发明提供一种用于扫描电子显微镜测定的珠光颜料截面样品的制备方法及测定方法，所述制备方法包括：将液态碳导电胶和珠光颜料混合并涂覆在硅片一侧表面，干燥后得到固定有珠光颜料涂覆层的初始样品，所述珠光颜料至少包覆一层连续膜层且膜层厚度在2 nm以上；对所得初始样品进行离子束截面抛光，得到所述珠光颜料截面样品，所述离子束截面抛光的参数包括：离子束加速电压为3～7 kV；样品抛光时间可为120～480分钟；电流为1.5～3mA。
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