发明授权
CN103814431B 用于介电材料的沉积速率提高和生长动力学增强的多频溅射
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于介电材料的沉积速率提高和生长动力学增强的多频溅射
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申请号: CN201280043595.8申请日: 2012-09-10
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公开(公告)号: CN103814431B公开(公告)日: 2017-03-01
- 发明人: 冲·蒋 , 秉·圣·利奥·郭 , 迈克尔·斯托厄尔 , 卡尔·阿姆斯特朗
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 赵静
- 优先权: 61/533,074 2011.09.09 US
- 国际申请: PCT/US2012/054501 2012.09.10
- 国际公布: WO2013/036953 EN 2013.03.14
- 进入国家日期: 2014-03-07
- 主分类号: H01L21/203
- IPC分类号: H01L21/203 ; H01L21/31
摘要:
一种溅射沉积介电薄膜的方法,可包含:在处理腔室中的基板基座上提供基板,所述基板被定位成面向溅射靶材;将来自第一电源的第一射频频率和来自第二电源的第二射频频率同时施加到溅射靶材;和在基板与溅射靶材之间的处理腔室中形成等离子体,用于溅射所述靶材;其中第一射频频率小于第二射频频率,第一射频频率被选择以控制等离子体的离子能量并且第二射频频率被选择以控制等离子体的离子密度。可选择在所述处理腔室之内的表面的自偏压;这是通过在基板基座与地面之间连接阻塞电容器来实现的。
公开/授权文献
- CN103814431A 用于介电材料的沉积速率提高和生长动力学增强的多频溅射 公开/授权日:2014-05-21