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公开(公告)号：CN104871361B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201380067241.1
申请日：2013-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/058 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M6/40 , C23C14/088 , C23C14/34 , H01M4/0426 , H01M10/0436 , H01M10/0585
Abstract: 一种制造薄膜电池的方法，所述方法可包括以下步骤：在基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器、阴极、电解质、阳极和阳极集电器；激光冲模图案化第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在一个或更多个第二堆叠之上覆盖沉积封装层；激光图案化所述封装层，以为一个或更多个第二堆叠的每一者上的阳极集电器打开接触区域；在封装层和接触区域之上覆盖沉积金属衬垫层；和激光图案化金属衬垫层，以电隔离一个或更多个薄膜电池的每一者的阳极集电器。对于非导电基板，穿过基板打开阴极接触区域。
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公开(公告)号：CN104396081A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032074.7
申请日：2013-06-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/0585 , H01M4/04
CPC classification number: H01M4/0471 , C23C14/58 , H01M6/40 , H01M10/0585
Abstract: 微波辐射可应用到电化学装置，以快速热处理(RTP)(包括退火、结晶、致密化、形成等)电化学装置各层和装置堆叠，所述装置堆叠包括块体和薄膜电池和薄膜电致变色装置。制造电化学装置的方法可包含：沉积电化学装置层于基板上；及对所述层进行微波退火，其中微波退火包括选择退火条件，使所述层优先吸收微波能量。用于形成电化学装置的设备可包含：第一系统，所述第一系统用以沉积电化学装置层于基板上；及第二系统，所述第二系统用以对所述层进行微波退火，其中第二系统被配置以使所述装置层优先吸收微波能量。
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公开(公告)号：CN104272519A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023809.X
申请日：2013-04-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/05
CPC classification number: H01M10/0562 , G02F1/1508 , H01G11/56 , H01L28/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2300/0068 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及在电化学装置中具有高离子导电性的真空沉积的固态电解质层，和用于制造所述电解质层的方法和工具。电化学装置可包括固态电解质，所述固态电解质具有所并入的过渡金属氧化物、硅、氧化硅或将诱导电解质堆叠的离子导电性增加的其他适当材料(例如，能够插入锂的材料)或其混合物的薄层和/或颗粒。预期固态电解质的离子导电性的提高与所并入的层的数目或电解质内颗粒的分布均匀性和密度的函数成比例。本发明的实施方式适用于广泛范围的电化学装置中的固态电解质，所述电化学装置包括薄膜电池、电致变色装置和超级电容器。固态电解质层可为标称无针孔的。
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公开(公告)号：CN103608967A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029787.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M14/00
CPC classification number: H01M6/40 , H01M4/0426 , H01M4/0471 , H01M4/139 , H01M4/70 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2/145 , H01M2/18 , H01M10/0525
Abstract: 一种制造薄膜电池的方法可包括以下步骤：覆盖沉积电解质层，接着选择性地激光图案化电解质层。一些或者所有其他的装置层可以是使用遮光掩模形成的原位图案化的层。
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公开(公告)号：CN106575797A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580045201.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/0585 , H01M4/04
CPC classification number: H01M4/1391 , C23C14/06 , H01M4/0426 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 依据一般的方面，本揭示内容的实施方式涉及专用掩模设计，所述掩模设计不仅提高沉积的LiPON层的离子电导率，而且还通过减少由RF等离子体对沉积层造成的损伤来提高装置产率。在实施方式中，掩模包括在沉积期间面向基板的导电底表面及不导电的相对顶面。依据本揭示内容的多种方面，所述掩模在底面的导电部分允许弱的次级局部等离子体形成(或更多的等离子体浸没)，以增强氮并入LiPON膜中。不导电的顶面抑制局部微起弧，此举将限制等离子体对生长膜引发的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105874641A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480072040.5
申请日：2014-12-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 立钟·孙 , 冲·蒋 , 秉圣·利奥·郭 , 约瑟夫·G·戈登二世
IPC: H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/58
Abstract: 制造包含锂金属电极的电化学装置的方法可包含：提供基板，在所述基板表面上具有锂金属电极；沉积第一电介质材料层至锂金属电极上，且沉积第一电介质材料层是在氩环境中溅射Li3PO4；在沉积第一电介质材料层后，在第一电介质材料层上方诱发及维持氮等离子体，以提供离子轰击第一电介质材料层而将氮并入所述第一电介质材料层内；及在沉积、诱发及维持后，沉积第二电介质材料层至经离子轰击的第一电介质材料层上，且沉积第二电介质材料层是在含氮环境中溅射Li3PO4。电化学装置可包含在锂金属电极与LiPON电解质之间的阻挡层。本文也描述配置为制造包含锂金属电极的电化学装置的工具。
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公开(公告)号：CN104508175A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039747.1
申请日：2013-07-26
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01M10/04 , H01M4/0404 , H01M4/0426 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M6/40 , H01M10/052 , C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/5806
Abstract: 一种制造电化学装置的方法可包括：在沉积腔室中利用物理气相沉积(PVD)工艺，在基板之上沉积电极层，其中腔室压力大于约10mTorr，且基板温度为约室温与约450℃之间或更高；和退火处理电极层，使电极层结晶，其中退火温度低于或等于约450℃。另外，腔室压力可高达100mTorr。此外，沉积后退火温度可低于或等于400℃。电化学装置可为具有LiCo02电极的薄膜电池，且PVD工艺可为溅射沉积工艺。
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公开(公告)号：CN103733311A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280038837.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301 , H01M10/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L31/02164 , H01L31/02167 , H01L31/024 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01M4/0471 , H01M6/40 , H01M10/0436
Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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公开(公告)号：CN103608966B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280029540.1
申请日：2012-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M14/00
CPC classification number: C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/5826 , C23C14/586
Abstract: 一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤：沉积薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体（如果需要）；在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击；以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤，直到沉积了所需厚度的电介质为止。这种方法的一种变体可包括以下步骤来代替所述重复步骤：沉积较低品质的厚介电层；沉积高品质的薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体（如果需要）；以及在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击。所述厚介电层可以比所述薄介电层更快速地沉积。
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公开(公告)号：CN105789680A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273983.5
申请日：2012-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L31/02164 , H01L31/02167 , H01L31/024 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01M4/0471 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0404
Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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