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公开(公告)号：CN111819303B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201980017350.X
申请日：2019-01-28
申请人： 应用材料公司
摘要： 在此所述的实施方式提供形成非晶或纳米结晶陶瓷膜的方法。方法包括使用物理气相沉积(PVD)工艺在基板上沉积陶瓷层；当陶瓷层具有预定的层厚度时中断PVD工艺；溅射蚀刻陶瓷层达预定的时段；和重复使用PVD工艺沉积该陶瓷层的步骤、中断PVD工艺的步骤及溅射蚀刻陶瓷层的步骤，直到形成具有预定的膜厚度的陶瓷膜。(56)对比文件Mahmood Aliofkhazraei.Chapter 2: SizeDependency in Nanostructures.《Nanocoatings size effect innanostructure films》.2011,
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公开(公告)号：CN111819303A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017350.X
申请日：2019-01-28
申请人： 应用材料公司
摘要： 在此所述的实施方式提供形成非晶或纳米结晶陶瓷膜的方法。方法包括使用物理气相沉积(PVD)工艺在基板上沉积陶瓷层；当陶瓷层具有预定的层厚度时中断PVD工艺；溅射蚀刻陶瓷层达预定的时段；和重复使用PVD工艺沉积该陶瓷层的步骤、中断PVD工艺的步骤及溅射蚀刻陶瓷层的步骤，直到形成具有预定的膜厚度的陶瓷膜。
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公开(公告)号：CN103814431B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201280043595.8
申请日：2012-09-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/00 , C23C14/3471 , H01J37/32165 , H01J37/3405
摘要： 一种溅射沉积介电薄膜的方法，可包含：在处理腔室中的基板基座上提供基板，所述基板被定位成面向溅射靶材；将来自第一电源的第一射频频率和来自第二电源的第二射频频率同时施加到溅射靶材；和在基板与溅射靶材之间的处理腔室中形成等离子体，用于溅射所述靶材；其中第一射频频率小于第二射频频率，第一射频频率被选择以控制等离子体的离子能量并且第二射频频率被选择以控制等离子体的离子密度。可选择在所述处理腔室之内的表面的自偏压；这是通过在基板基座与地面之间连接阻塞电容器来实现的。
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公开(公告)号：CN103814431A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201280043595.8
申请日：2012-09-10
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/00 , C23C14/3471 , H01J37/32165 , H01J37/3405
摘要： 一种溅射沉积介电薄膜的方法，可包含：在处理腔室中的基板基座上提供基板，所述基板被定位成面向溅射靶材；将来自第一电源的第一射频频率和来自第二电源的第二射频频率同时施加到溅射靶材；和在基板与溅射靶材之间的处理腔室中形成等离子体，用于溅射所述靶材；其中第一射频频率小于第二射频频率，第一射频频率被选择以控制等离子体的离子能量并且第二射频频率被选择以控制等离子体的离子密度。可选择在所述处理腔室之内的表面的自偏压；这是通过在基板基座与地面之间连接阻塞电容器来实现的。
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公开(公告)号：CN205177785U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201490000460.8
申请日：2014-03-07
申请人： 应用材料公司
发明人： 乔·格里菲思·克鲁兹 , 哈恩·阮 , 兰迪·弗拉纳 , 卡尔·阿姆斯特朗
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67017 , H01L21/68785
摘要： 本文提供用于将热线源耦接至处理腔室的装置。在某些实施方式中，一种用于将热线源耦接至处理腔室的装置可包括：壳体，所述壳体具有开放端与通孔，所述通孔形成为穿过所述壳体的顶部与底部；以及灯丝组件，所述灯丝组件被配置成设置于所述壳体内，所述灯丝组件具有框部与多个灯丝，所述多个灯丝设置成横跨所述框部，其中当所述灯丝组件设置于所述壳体内时，所述灯丝组件的所述多个灯丝实质上平行于所述壳体的所述顶部与所述底部，且所述多个灯丝的至少一部分设置于所述壳体的所述通孔内。
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