本发明公开一种深硅刻蚀方法，该方法包括：沉积步骤，生成保护层以对刻蚀侧壁进行保护；刻蚀步骤，对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；重复所述沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀过程结束；其中，还包括底部平滑步骤，所述底部平滑步骤为：利用含氟气体执行等离子体处理，以去除刻蚀底部由于沉积产生的聚合物；并且，所述底部平滑步骤采用的工艺压力小于所述刻蚀步骤采用的工艺压力，在整个深硅刻蚀过程中执行所述底部平滑步骤至少一次。通过上述深硅刻蚀方法，在深硅刻蚀过程中抑制了刻蚀底部聚合物的逐渐增加，抑制微掩膜或者硅草的产生，从而提高深硅刻蚀的刻蚀速率以及选择比，并改善刻蚀底部的粗糙度。