- 专利标题: 参考单电源的信号IO保护装置及其形成方法
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申请号: CN201310697753.8申请日: 2013-12-18
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公开(公告)号: CN103887303B公开(公告)日: 2016-12-07
- 发明人: J·A·塞尔瑟多 , S·帕萨萨拉希
- 申请人: 美国亚德诺半导体公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 美国亚德诺半导体公司
- 当前专利权人: 美国亚德诺半导体公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 郭思宇
- 优先权: 61/739,645 2012.12.19 US 13/754,200 2013.01.30 US 61/877,761 2013.09.13 US 14/068,566 2013.10.31 US
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02
摘要:
提供了参考单电源的信号IO保护装置。在具体实施方式中,保护装置包括第一硅控整流器(SCR)和第一二极管,用于在信号节点和诸如电源低网络或电源高网络之类的电源网络之间提供保护。SCR和二极管结构集成在公共电路布局中,以便在结构之间共用具体阱和有源区域。在其它实施方式中,保护装置包括第一和第二SCR,用于在信号节点和电源低网络之间或信号节点和电源高网络之间提供保护,SCR结构集成在公共电路布局中。保护装置适合于亚3V操作下对单个电源的单个单元数据转换接口保护。
公开/授权文献
- CN103887303A 参考单电源的信号IO保护装置及其形成方法 公开/授权日:2014-06-25
IPC分类: