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公开(公告)号：CN105281307B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510407886.6
申请日：2015-07-13
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 本公开涉及用于具有正反馈的瞬态过载保护的装置和方法。用于提供瞬态过载保护，具有正反馈的装置和方法被公开。在某些配置中，保护电路包括瞬态检测电路、偏置电路、钳位电路和当钳位电路钳位时，生成正反馈电流的感测反馈电路。瞬态检测电路能够检测瞬态过载事件的存在，并且能够生成响应于瞬态过载事件检测的检测电流。检测电流和正反馈电流可以被组合以生成组合电流。并且偏置电路可以接通钳位电路以响应于组合电流。当瞬态过载事件出现并且钳位电路正钳位时，感测反馈电流能够生成正反馈电流以在事件的持续时间内保持钳位电路接通。
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公开(公告)号：CN104733454A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410657846.2
申请日：2014-11-18
申请人： 美国亚德诺半导体公司
发明人： S·帕萨萨拉希 , R·卡里略-拉姆利兹
CPC分类号： H02H9/046 , H01L27/0255 , H02H9/005
摘要： 本发明涉及用于保护射频和微波集成电路的装置与方法。静电放电(ESD)保护器件可以保护电子电路。在射频(RF)电路及类似的情况下，常规ESD保护器件的插入损耗可能无法满足需要。相对于衬底而言，ESD保护器件的节点的寄生电容的数量不一定是对称的。公开的技术减少信号节点的寄生电容，改善ESD保护器件的插入损耗特性。
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公开(公告)号：CN110890359B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910839609.0
申请日：2019-09-06
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本公开涉及用于机动车和通信系统收发器接口的设备。通信接口保护装置包括：电连接到第一端子的第一电气过应力(EOS)保护开关和电连接到第二端子的第二EOS保护开关。第一和第二EOS保护开关中的每一个包括第一半导体控制的整流器(SCR)和第二SCR以及阴极电连接到所述第一SCR的阳极的第一二极管和阴极电连接到所述第二SCR的阳极的第二二极管，所述第一EOS保护装置被配置为响应于在所述第一和第二端子之间引起第一偏置的EOS条件而激活，并且其中所述第二EOS保护装置被配置为响应于在所述第一和第二端子之间引起第二偏置的EOS条件而激活。
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公开(公告)号：CN107527879B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201710472186.4
申请日：2017-06-21
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 提供用于有源控制的触发和锁存释放晶闸管的设备和方法。在某些构造中，有源控制的保护电路包括：过电压传感电路、在信号节点和放电节点之间电连接的晶闸管或硅控整流器(SCR)、以及有源触发和锁存释放电路。过电压传感电路基于信号节点的电压控制虚拟供电节点的电压，并且有源触发和锁存释放电路基于虚拟供电节点的电压检测信号节点处瞬态过应力事件的存在。有源触发和锁存释放电路提供一个或多个触发信号至SCR以控制SCR的激活电压，并且有源触发和锁存释放电路基于是否检测到瞬态过应力事件来激活或失活一个或多个触发信号。
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公开(公告)号：CN108155636B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201711271836.5
申请日：2017-12-06
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本公开涉及有源接口电阻调制开关。在某些构造中，半导体芯片的输入/输出(IO)接口包括：引脚；连接引脚的接口开关；和使用有源反馈控制接口开关的电阻的过应力检测和有源控制电路。过应力检测和有源控制电路响应于检测第一节点和第二节点之间的瞬时过应力事件而增加接口开关的电阻。因此，过应力检测和有源控制电路提供单独的检测和逻辑控制以选择性地修改接口开关的电阻，使得接口开关在正常操作条件下以低电阻操作，并且在过应力条件下以高电阻操作。
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公开(公告)号：CN104578027B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410458831.3
申请日：2014-09-10
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本发明涉及高压可承受电源钳位。与瞬态电事件相关的，用于主动检测、定时与保护的装置与方法被公开。检测电路生成响应瞬态电应力的检测信号。集成电路的第一与第二驱动器电路，每个驱动器具有一个或多个双极结型晶体管，基于检测信号激活并且生成激活信号。第一与第二驱动器电路的一个或多个双极结型晶体管被配置基本上横向地穿过各自基极区传导电流。具有上部放电元件与下部放电元件的放电电路接收激活信号并且激活以减弱瞬态电事件。
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公开(公告)号：CN107104102A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710097800.3
申请日：2017-02-23
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L29/872 , H01L27/0285 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/1075 , H01L29/205 , H01L29/7783 , H01L29/8124 , H01L27/04
摘要： 公开了化合物半导体电路应用中的瞬态过应力保护的装置和方法。本文提供了用于化合物半导体保护钳位器的装置和方法。在某些配置中，化合物半导体保护钳位器包括电阻器‑电容器(RC)触发网络和金属‑半导体场效应晶体管(MESFET)钳位器。RC触发网络检测ESD/EOS事件何时存在于第一节点和第二节点之间，并且响应于检测到ESD/EOS事件而激活MESFET钳位器。当MESFET钳位器被激活时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供低阻抗路径，从而提供ESD/EOS保护。当被禁用时，MESFET钳位器在第一和第二节点之间提供高阻抗，并且因此以低泄漏电流和小静态功率耗散操作。
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公开(公告)号：CN104578027A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410458831.3
申请日：2014-09-10
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本发明涉及高压可承受电源钳位。与瞬态电事件相关的，用于主动检测、定时与保护的装置与方法被公开。检测电路生成响应瞬态电应力的检测信号。集成电路的第一与第二驱动器电路，每个驱动器具有一个或多个双极结型晶体管，基于检测信号激活并且生成激活信号。第一与第二驱动器电路的一个或多个双极结型晶体管被配置基本上横向地穿过各自基极区传导电流。具有上部放电元件与下部放电元件的放电电路接收激活信号并且激活以减弱瞬态电事件。
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公开(公告)号：CN113824102B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110675691.5
申请日：2021-06-18
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H02H9/04 , H02M1/088 , H02M1/32 , H03K19/003
摘要： 本文涉及静电放电和过驱动保护电路。公开用于防止过驱动和静电放电的系统和电路。例如，保护电路可以包括场效应晶体管，以在一些电路的工作电压范围之外将过驱动放电来防止损坏电路。此外，保护电路可以利用场效应晶体管中固有的二极管特征来防止某些情况下的静电放电。该电路可以在射频采样模数转换器中实现，并且可以为模数转换器提供单端信号输入和/或输出。
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公开(公告)号：CN109713916B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201811256259.7
申请日：2018-10-26
申请人： 美国亚德诺半导体公司
摘要： 本公开涉及通过控制信号放大控硅整流器动态触发和关断。提供通过控硅整流器(SCR)触发放大控制的电过应力保护。在某些配置中，过应力保护电路包括用于检测接口的第一垫盘和第二垫盘之间是否存在过应力事件的控制电路，以及电连接在第一垫盘和第二垫盘之间的放电电路。由控制电路选择性地激活。该接口对应于集成电路(IC)，片上系统(SoC)或系统级封装(SiP)的电子接口。放电电路包括第一较小的SCR和第二较大的SCR。响应于检测到过应力事件，控制电路激活较小的SCR，SCR又激活较大的SCR以在第一垫盘和第二垫盘之间提供夹紧。
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