发明授权
- 专利标题： 非易失性记忆体结构
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申请号： CN201210581149.4申请日： 2012-12-27
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公开(公告)号： CN103904079B公开(公告)日： 2016-06-08
- 发明人: 郑致杰
- 申请人： 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115
摘要：
本发明是有关于一种非易失性记忆体结构，包括基底、多个堆叠结构、多个第一导电型掺杂区、至少一第二导电型掺杂区、导体层及第一介电层。堆叠结构设置于基底上，且各个堆叠结构包括电荷储存结构。第一导电型掺杂区分别设置于对应的电荷储存结构下方的基底中。第二导电型掺杂区设置于相邻的电荷储存结构之间的基底中，且与各个电荷储存结构具有一重叠区域。导体层覆盖第二导电型掺杂区。第一介电层设置于导体层与第二导电型掺杂区之间。
公开/授权文献
- CN103904079A 非易失性记忆体结构 公开/授权日：2014-07-02
IPC分类:
