发明授权
CN103951426B 介电陶瓷K6Nb10.8O30粉体及其烧结体的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 介电陶瓷K6Nb10.8O30粉体及其烧结体的制备方法
-
申请号: CN201410160730.8申请日: 2014-04-21
-
公开(公告)号: CN103951426B公开(公告)日: 2015-12-30
- 发明人: 侯育冬 , 张立娜 , 朱满康 , 王如志 , 张铭 , 汪浩 , 王波 , 宋雪梅 , 刘晶冰 , 严辉
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张慧
- 主分类号: H01B3/12
- IPC分类号: H01B3/12 ; C04B35/495 ; C04B35/624 ; C04B35/626 ; C04B35/622
摘要:
介电陶瓷K6Nb10.8O30粉体及其烧结体的制备方法,属于电子陶瓷材料技术领域。将Nb2O5与KOH混合煅烧后溶于水,用硝酸滴定pH=2~3,收集沉淀溶于草酸;用氨水滴定pH=10~11,获得白色沉淀;溶解于柠檬酸得溶液Ⅰ;K2CO3溶于水形成溶液Ⅱ;将溶液Ⅰ与Ⅱ混合加热得溶胶,80~130℃干燥;将干凝胶300~400℃处理2h;然后于950~1000℃煅烧。将K6Nb10.8O30粉体经加压成型后,1100℃~1200℃烧结成陶瓷体。本发明生产方法工艺简单、能耗低、K6Nb10.8O30粉体具有纯四方钨青铜相结构、均匀形貌。提供电子陶瓷具有高致密度,介电性能优良。
公开/授权文献
- CN103951426A 介电陶瓷K6Nb10.8O30粉体及其烧结体的制备方法 公开/授权日:2014-07-30