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公开(公告)号：CN113809544A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111126379.7
申请日：2021-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器，属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分，上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层，介电层与半导体GaAs层三部分组成；下部分包括十字石墨烯层，介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜，厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度；介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成；第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控，实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性，可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。
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公开(公告)号：CN110112013B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910451363.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于碳微纳球结构及超级电容器的制备方法，将多活性位点衬底放入微波等离子体化学气相沉积系统的反应腔体中，设置如下参数：反应腔压：10‑100torr；温度700℃‑900℃；N2流速50‑150cm3/min；H2流速20‑100cm3/min；碳源气体流速1‑20cm3/min；偏压负200‑负50V；微波功率为500‑1500W，调节设备阻抗旋钮至得到不闪烁的橙黄色辉光等离子体气体，反应1‑6h，最终得到碳微纳球材料。碳微纳米球形貌丰富，直径4‑15μm，电容性能良好，电压窗口为‑0.5V‑‑0.5V时，可到达116mF/cm2。采用石墨类衬底作为集流体，增强材料电容性能，提升材料与衬底接触稳定性，原材料廉价易得，方法简单，性能稳定，具有高重复性。
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公开(公告)号：CN110112013A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910451363.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于碳微纳球结构及超级电容器的制备方法，将多活性位点衬底放入微波等离子体化学气相沉积系统的反应腔体中，设置如下参数：反应腔压：10-100torr；温度700℃-900℃；N2流速50-150cm3/min；H2流速20-100cm3/min；碳源气体流速1-20cm3/min；偏压负200-负50V；微波功率为500-1500W，调节设备阻抗旋钮至得到不闪烁的橙黄色辉光等离子体气体，反应1-6h，最终得到碳微纳球材料。碳微纳米球形貌丰富，直径4-15μm，电容性能良好，电压窗口为-0.5V--0.5V时，可到达116mF/cm2。采用石墨类衬底作为集流体，增强材料电容性能，提升材料与衬底接触稳定性，原材料廉价易得，方法简单，性能稳定，具有高重复性。
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公开(公告)号：CN109682865A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910010883.7
申请日：2019-01-07
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01N27/127 , B01J20/02 , B01J20/06 , B01J20/28016 , B01J2220/42 , B01J2220/4806 , B01J2220/4812 , B82Y40/00 , G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料的自还原制备方法。将柠檬酸钠碱性水溶液与氯化亚锡乙醇溶液混合，置于反应釜中加热至180℃反应12小时，产物洗涤干燥后得到花状四氧化三锡粉末。将其分散至去离子水中，加入氯金酸溶液，利用四氧化三锡自身的还原性将其还原为金纳米颗粒，搅拌后清洗产物并干燥。最后经煅烧处理后得到负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料。本发明方法简单、反应条件温和、可工业化，制备的二氧化锡纳米花尺寸均匀，比表面积高。本发明与传统方法相比简化了实验步骤并节约了成本，负载的金颗粒尺寸小、分布均匀且无团聚。负载金颗粒后二氧化锡纳米花对乙醇表现出更优异的气敏性能。
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公开(公告)号：CN107699863A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710844514.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/517 , C23C16/511 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/511 , C23C16/513 , C23C16/517
Abstract: 一种MPCVD制备GaN纳米线的方法属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。高质量GaN纳米线的可控制备是当前的一个技术难点，本发明采用设计的石英坩埚和石英罩克服了这一难点，首次采用MPCVD制备了高质量的GaN纳米线，并且摒弃了对环境有污染的NH3和危险气体H2，在整个制备过程中N2作为唯一气体，为GaN的环保绿色制备得到了一个新的突破。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104531152B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410805371.7
申请日：2014-12-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 一种稀土氟化物发光材料的高效抗氧化退火方法属于固体发光材料领域。其特征在于由以下步骤组成：将稀土氟化物荧光材料进行研磨，过筛网后直接压制成素坯体；素坯体置于氧化铝坩埚中，用石英砂将素坯体掩埋并将氧化铝坩埚填满；在另一个更大的氧化铝坩埚底部铺满活性炭粉，将之前盖好的装有素坯体的坩埚置于大坩埚中，大坩埚的其他空隙用活性炭填满，盖好盖子；装好的大坩埚置于马氏炉中以每小时160℃‑200℃的升温速率进行升温，达到退火温度后进行退火处理，最后随炉降温至室温。本发明氟化物转光材料结晶性良好，并且具有较强的上转换性能，有效减少了氟化物被氧化的几率以及杂相的生成，改善了氟化物稀土材料的加工性能，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN105405923A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510729856.7
申请日：2015-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , C09K11/78
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , C09K11/7766 , H01L31/02322
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及同时具有减反与下转换转光的Y2O3:Bi,Yb薄膜制备方法。本发明是旨在减少晶体硅太阳能电池的光电损失，其特征在于将下转换转光机制与晶体硅材料表面减反陷光结构制备两种方式结合，在具有减反陷光结构的硅衬底上制备出Y2O3:Bi,Yb下转换转光薄膜，最终达到同时实现减反与下转换转光的目的。本发明的Y2O3:Bi,Yb薄膜在300-1100nm范围内具有较低的平均反射率，最低可至2.94％，同时，具有强的近红外光发射，其发射主峰位于800-1100nm能与硅的禁带宽度完美相匹配，可有效提高晶体硅太阳能电池对太阳光的利用，制备工艺十分简单，成本低廉，为实现大规模的工业生产提供了可能。
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公开(公告)号：CN104531152A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410805371.7
申请日：2014-12-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 一种稀土氟化物发光材料的高效抗氧化退火方法属于固体发光材料领域。其特征在于由以下步骤组成：将稀土氟化物荧光材料进行研磨，过筛网后直接压制成素坯体；素坯体置于氧化铝坩埚中，用石英砂将素坯体掩埋并将氧化铝坩埚填满；在另一个更大的氧化铝坩埚底部铺满活性炭粉，将之前盖好的装有素坯体的坩埚置于大坩埚中，大坩埚的其他空隙用活性炭填满，盖好盖子；装好的大坩埚置于马氏炉中以每小时160℃-200℃的升温速率进行升温，达到退火温度后进行退火处理，最后随炉降温至室温。本发明氟化物转光材料结晶性良好，并且具有较强的上转换性能，有效减少了氟化物被氧化的几率以及杂相的生成，改善了氟化物稀土材料的加工性能，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN104496460A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410669987.6
申请日：2014-11-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种调节CuAlO2陶瓷电导率的方法及CuAl1-xYxO2陶瓷制备方法，属于陶瓷技术领域。通过钇部分掺杂取代CuAlO2中的Al的方法来调节CuAlO2陶瓷电导率，钇部分掺杂取代CuAlO2得到化合式为CuAl1-xYxO2的物质，其中0.01≤x≤0.10。制备方法：按化学计量比称量原料；将原料放入球磨罐中球磨；将粉体放入坩埚中煅烧，煅烧温度时1100℃，然后进行二次球磨、烘干；将研磨得到的粉体压制成坯体，得到的坯体在炉子以560℃-600℃排胶、以1150℃-1250℃的温度进行烧结。通过简单的钇掺杂就能实现CuAlO2材料的电导率的改变。
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