一种三维碳结构负载铂催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN113903932B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202110998596.9

    申请日:2021-08-27

    IPC分类号: H01M4/92 H01M4/88

    摘要: 一种三维碳结构负载铂催化剂及其制备方法属于燃料电池催化剂技术领域。本方法由以下步骤组成:1)多种结构碳基材料通过前处理工艺得到三维碳结构粉体;2)将三维结构碳粉、六羟基合铂酸二(乙醇铵)水溶液、乙醇、去离子水混合均匀得到初级反应液;3)使用NaOH调节初级反应液至合适pH,加热反应制备三维碳结构负载Pt;4)通过煅烧手段得到三维碳结构负载Pt催化剂初级产物;5)采用等离子体增强化学气相沉积系统进行等离子体处理得到最终的三维碳结构负载Pt催化剂。本发明所制备的三维碳结构负载Pt催化剂质量活性大于350mA/mgPt@0.9V,10000圈老化测试后,其质量活性衰减小于10%。

    一种三维碳结构负载GaN催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN113764688B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202110997157.6

    申请日:2021-08-27

    发明人: 王如志 杨孟骐

    IPC分类号: H01M4/90 H01M4/88

    摘要: 一种三维碳结构负载GaN催化剂及其制备方法属于燃料电池催化剂技术领域。本方法由以下步骤组成:1)多种结构碳基材料通过前处理工艺得到三维碳结构粉体;2)将三维结构碳粉体进行等离子体处理,得到表面活化的三维结构碳粉;3)采用微波等离子体化学气相沉积系统制备GaN纳米材料;4)将GaN纳米材料转移至泡沫镍电极表面,在水溶液中对三维碳结构进行静电吸附;5)将吸附GaN纳米材料的三维碳结构进行退火处理,得到三维碳结构负载GaN催化剂。本发明所制备的三维碳结构负载GaN催化剂质量活性大于100mA/mgGaN@0.9V,10000圈老化测试后,其质量活性衰减小于20%。

    一种高效率长寿命自支撑非贵金属纳米薄膜电催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN113584522B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202110753026.3

    申请日:2021-07-03

    IPC分类号: C25B11/091 C25B1/04

    摘要: 一种高效率长寿命自支撑非贵金属纳米薄膜电催化剂的制备方法属于电解水制氢领域。该催化剂是将非贵金属盐、磷源、络合剂、光亮剂与去离子水均匀混合,并进行超声搅拌,得到电解液;然后将导电基底作为工作电极,在上述电解液中进行电沉积,随后煅烧处理,得到自支撑非贵金属纳米薄膜催化剂。所制备得到的自支撑非贵金属纳米薄膜催化剂应用在电解池中,具有优异的电催化析氢性能。

    一种负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料的自还原制备方法

    公开(公告)号:CN109682865B

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN201910010883.7

    申请日:2019-01-07

    摘要: 本发明公开了一种负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料的自还原制备方法。将柠檬酸钠碱性水溶液与氯化亚锡乙醇溶液混合,置于反应釜中加热至180℃反应12小时,产物洗涤干燥后得到花状四氧化三锡粉末。将其分散至去离子水中,加入氯金酸溶液,利用四氧化三锡自身的还原性将其还原为金纳米颗粒,搅拌后清洗产物并干燥。最后经煅烧处理后得到负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料。本发明方法简单、反应条件温和、可工业化,制备的二氧化锡纳米花尺寸均匀,比表面积高。本发明与传统方法相比简化了实验步骤并节约了成本,负载的金颗粒尺寸小、分布均匀且无团聚。负载金颗粒后二氧化锡纳米花对乙醇表现出更优异的气敏性能。

    一种三维碳结构负载Pt-Cu合金催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN113903926A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202110998590.1

    申请日:2021-08-27

    IPC分类号: H01M4/88 H01M4/92

    摘要: 一种三维碳结构负载Pt‑Cu合金催化剂及其制备方法属于燃料电池催化剂技术领域。本方法由以下步骤组成:1)将多种结构碳材料酸化、洗涤、干燥、球磨等前处理得到具有三维结构的碳粉;2)利用水热还原法对三维结构碳粉,铂的前驱体,铜的前驱体,还原剂等混合溶液进行热还原处理得到初级反应液;3)水热后的初级反应液抽滤、干燥、煅烧后得到初级三维碳结构负载Pt‑Cu合金催化剂;4)对初级三维碳结构负载Pt‑Cu合金催化剂进行等离子体处理,最终得到一种三维碳结构负载Pt‑Cu合金催化剂。所得催化剂,Pt‑Cu平均粒径3‑10nm,氯化物含量小于100ppm,含水量小于1wt%。

    一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极

    公开(公告)号:CN109825843B

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201910078164.9

    申请日:2019-01-28

    摘要: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极,属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法,制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极,无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢,并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90‑200nm,长度为4‑30μm,表面形貌粗糙,表现为金字塔岛状结构,同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点,有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料,这为探索新型电催化材料提供了崭新思路,也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。

    一种绿色无催化剂法制备氮化镓纳米线的方法

    公开(公告)号:CN108611679A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810319100.9

    申请日:2018-04-11

    IPC分类号: C30B25/00 C30B29/40 C30B29/62

    摘要: 一种绿色无催化剂制备氮化镓纳米线的方法,属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。本发明通过等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),在不使用任何催化剂条件下,以绿色无污染的N2作为氮源制备性能优异的一维线状的GaN纳米结构。本发明成本低廉,工艺简单,以抛光石墨为衬底,金属镓和碳粉为前驱体。在PECVD系统中,调节反应气压为30Pa-50Pa;反应温度为825℃-875℃;N2流速10-40cm3/min;H2流速5-10厘米cm3/min;射频电源功率80W-120W,反应1-3h得到产物。产物为六方纤锌矿结构的一维GaN纳米线,具有典型的紫光发光特征和优异的场发射性能。