发明公开
- 专利标题: 微纳尺度静电力开关及其制造方法
- 专利标题(英): Micro nano electrostatic force switch and manufacturing method thereof
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申请号: CN201310035425.1申请日: 2013-01-29
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公开(公告)号: CN103964364A公开(公告)日: 2014-08-06
- 发明人: 聂鹏飞 , 朱慧珑 , 粟雅娟 , 贾昆鹏 , 杨杰
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3#
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3#
- 代理机构: 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所
- 代理商 陈红
- 主分类号: B81B3/00
- IPC分类号: B81B3/00 ; B81C1/00
摘要:
本发明公开了一种微纳尺度静电力开关,包括:衬底,包括绝缘层与背电极;源电极与漏电极,位于衬底上,沿第一方向排列;支撑电极,位于衬底上,沿第二方向排列;石墨烯层,位于支撑电极上并与其电连接;源漏电极连接层,沿第一方向延伸,与源电极和漏电极电连接。依照本发明的微纳尺度静电力开关及其制造方法,采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为膜桥材料,利用电极和支撑电极之间的偏压产生静电力从而将膜桥下拉、形变之后通过金属层将源漏电极连接起来形成开关,开启电压小,不需要较大的驱动电路,能够缩小微纳机械开关的尺寸并与CMOS兼容。
公开/授权文献
- CN103964364B 微纳尺度静电力开关及其制造方法 公开/授权日:2016-12-28