本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：提供包括形成在第一绝缘材料中的导电部件和设置在第一绝缘材料上方的第二绝缘材料的工件。第二绝缘材料具有在导电部件上方的开口。该方法包括：在第二导电材料中的开口内的导电部件的暴露顶面上方形成基于石墨烯的导电层，并且在第二绝缘材料中的开口的侧壁上方形成基于碳的粘合层。在图案化第二绝缘材料中的基于石墨烯的导电层和基于碳的粘合层上方形成碳纳米管（CNT）。