公开(公告)号：CN113192880A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110378439.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。

公开(公告)号：CN103515354B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210460900.5

申请日：2012-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴宪昌 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53209 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种装置包括形成在衬底上方的第一介电层、嵌在第一介电层中的第一金属线、形成在第一介电层上方的第二介电层、嵌在第二介电层中的第二金属线、形成在第一金属线和第二金属线之间的互连结构、形成在第一金属线和互连结构之间的第一碳层以及形成在第二金属线和互连结构之间的第二碳层。本发明提供了用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法。

公开(公告)号：CN105304555A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410440487.5

申请日：2014-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。本发明还涉及导体纳米线的选择性形成。

公开(公告)号：CN102347311A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110044065.2

申请日：2011-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李香寰 ,  李明翰 ,  叶名世 ,  余振华 ,  眭晓林

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明是有关于一种半导体组件及其制造方法，以提供改善内连线可靠度与阻抗的机制。内连线的可靠度与阻抗可通过使用一复合阻障层而获致改善，其中复合阻障层提供良好的阶梯覆盖率与良好的铜扩散阻障，也提供与相邻层有良好的附着力。此复合阻障层包括一原子层阻障层，以提供良好的阶梯覆盖率。此复合阻障层也包括一增强阻障附着层，其中此增强阻障附着层含有至少一元素或化合物，且此至少一元素或化合物含有锰、铬、钒、铌或钛，以改善附着力。此复合阻障层亦包括一钽或钛层，其中此钽或钛层是设于原子层阻障层与增强阻障附着层之间。

公开(公告)号：CN105280616B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410803165.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨士亿 ,  李香寰 ,  李明翰 ,  田希文 ,  眭晓林

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种互连结构和方法。一种器件，包括：第一导电线，位于介电层上方的第一金属层中，其中，第一导电线在三个侧面被第一聚合物层包裹，并且第一导电线和介电层通过第一聚合物层的底部隔离；第二导电线，位于介电层上方，其中，第二导电线在三个侧面被第二聚合物层包裹，并且第二导电线和介电层被第二聚合物层的底部隔离；以及气隙，位于第一导电线和第二导电线之间。

公开(公告)号：CN104934412B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510122317.7

申请日：2015-03-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨士亿 ,  田希文 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种互连结构，其包括：衬底；位于衬底上方的第一导电部件；位于第一导电部件上方的第二导电部件；以及围绕第一导电部件和第二导电部件的介电层。第一导电部件的宽度和第二导电部件的宽度介于10nm与50nm之间。本发明的实施例还提供了一种用于制造互连结构的方法，包括(1)在介电层中形成通孔开口和线性沟槽，(2)在通孔开口中形成一维导电部件，(3)在线性沟槽的侧壁、线性沟槽的底部以及一维导电部件的顶部上方形成共形催化层，以及(4)从线性沟槽的底部和一维导电部件的顶部处去除共形催化层。

公开(公告)号：CN105321814A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410488038.8

申请日：2014-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨岱宜 ,  刘相玮 ,  吴佳典 ,  李香寰 ,  林天禄

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明公开了导电元件结构及其制造方法。在一些实施例中，在绝缘层中形成导电元件的方法包括：在绝缘层上方所设置的金属层中形成凹槽；在凹槽的侧壁上选择性地形成金属衬里；以及将金属层和金属衬里用作掩模，在绝缘层中蚀刻通孔。

公开(公告)号：CN104779197A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410105822.6

申请日：2014-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李香寰 ,  眭晓林 ,  蒯光国 ,  陈海清 ,  曾同庆 ,  杨文成 ,  高宗恩 ,  李明翰 ,  黄心岩

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。

公开(公告)号：CN105321814B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201410488038.8

申请日：2014-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨岱宜 ,  刘相玮 ,  吴佳典 ,  李香寰 ,  林天禄

IPC: H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了导电元件结构及其制造方法。在一些实施例中，在绝缘层中形成导电元件的方法包括：在绝缘层上方所设置的金属层中形成凹槽；在凹槽的侧壁上选择性地形成金属衬里；以及将金属层和金属衬里用作掩模，在绝缘层中蚀刻通孔。

公开(公告)号：CN104934409B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410234625.4

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  郭启良 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。