• 专利标题: 用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板
  • 专利标题(英): Extended and independent rf powered cathode substrate for extreme edge tunability
  • 申请号: CN201280062489.4
    申请日: 2012-10-15
  • 公开(公告)号: CN104012185A
    公开(公告)日: 2014-08-27
  • 发明人: V·托多罗S·巴纳I·优素福A·王G·勒雷
  • 申请人: 应用材料公司
  • 申请人地址: 美国加利福尼亚州
  • 专利权人: 应用材料公司
  • 当前专利权人: 应用材料公司
  • 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
  • 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
  • 代理商 黄嵩泉
  • 优先权: 61/576,324 2011.12.15 US; 61/691,077 2012.08.20 US; 13/651,351 2012.10.12 US
  • 国际申请: PCT/US2012/060314 2012.10.15
  • 国际公布: WO2013/089910 EN 2013.06.20
  • 进入国家日期: 2014-06-17
  • 主分类号: H05H1/34
  • IPC分类号: H05H1/34 H05H1/46 H01L21/3065
用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板
摘要:
本发明中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中,一种处理基板的装置可包括:基板支座,该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极;设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面;以及第二电极,该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘,其中该第二电极具有第二表面,该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。
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