公开(公告)号：CN111463125A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010304638.X

申请日：2013-08-30

申请人： 应用材料公司

发明人： N·K·英格尔 ,  A·王 ,  X·陈

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。

公开(公告)号：CN103733317B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280040226.3

申请日：2012-07-30

申请人： 应用材料公司

发明人： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31116

摘要： 现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。

公开(公告)号：CN105580118A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

申请人： 应用材料公司

发明人： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC分类号： H01L21/02205 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

摘要： 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。

公开(公告)号：CN105580118B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

申请人： 应用材料公司

发明人： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F4/00

摘要： 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。

公开(公告)号：CN106449472A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610637513.2

申请日：2016-08-05

申请人： 应用材料公司

发明人： L·徐 ,  Z·陈 ,  A·王 ,  S·T·恩古耶

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

摘要： 本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括触发等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体出流。所述等离子体出流可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体出流在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流向基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。

公开(公告)号：CN104641455A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048351.3

申请日：2013-08-26

申请人： 应用材料公司

发明人： Z·陈 ,  J·张 ,  C-M·徐 ,  S·朴 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32357

摘要： 描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。

公开(公告)号：CN104012185A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280062489.4

申请日：2012-10-15

申请人： 应用材料公司

发明人： V·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC分类号： H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

摘要： 本发明中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。

公开(公告)号：CN103329250A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065760.5

申请日：2011-12-21

申请人： 应用材料公司

发明人： A·王 ,  X·陈 ,  Y·S·李

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/28556

摘要： 描述形成多晶硅层的方法。所述方法包括在含有沉积基板的基板处理区域中从硅前驱物形成高密度等离子体。所描述的方法在相对于现有技术降低的基板温度（例如，＜500℃）下产生多结晶膜。偏压等离子体功率调整的可行性更使得所形成的多晶硅层的共形性的调整成为可能。当掺杂剂被包括在高密度等离子体中时，掺杂剂能够以掺杂剂不需要单独的激发步骤的方式被并入到多晶硅层内。

公开(公告)号：CN107810546B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201680023572.9

申请日：2016-03-30

申请人： 应用材料公司

发明人： 刘杰 ,  S·朴 ,  A·王 ,  Z·崔 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

摘要： 描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。

公开(公告)号：CN104620363B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201380047312.1

申请日：2013-08-22

申请人： 应用材料公司

发明人： S·H·朴 ,  Y·王 ,  J·张 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

摘要： 兹描述蚀刻经图案化异质结构上的暴露的氧化硅的方法，且该方法包括自远端等离子体蚀刻所产生的气相蚀刻。远端等离子体激发含氟前体。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区，等离子体流出物在基板处理区与水蒸气结合。藉此产生的反应物蚀刻经图案化异质结构，以在不同的蚀刻速率下移除两个单独的相异氧化硅区。该方法可被用来在移除较少高密度氧化硅的同时移除低密度氧化硅。