本文公开了设计的用于n型MOSFET的源极/漏极区以及具有场效应晶体管的集成电路器件，该场效应晶体管包括具有第一层和第二层的源极区和漏极区。在沟道区的平面下方形成第一层。第一层包括掺杂硅和碳，其晶格结构小于硅的晶格结构。第二层形成在第一层上方并高出沟道区的平面。第二层由含有掺杂外延生长硅的材料形成。第二层的碳原子分数小于第一层的碳原子分数的一半。第一层在沟道区的表面下方形成至少10nm的深度。这种结构促进了形成浅结的源极/漏极延伸区的形成。这种器件提供了具有低阻抗的源极和漏极同时相对更能够抵抗短沟道效应。