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发明授权
CN104052458B 用于MOSFET应用的可变缓冲电路 有权 转让

用于MOSFET应用的可变缓冲电路
摘要：
本发明的各个方面提出了一种具有缓冲电路的MOSFET器件。缓冲电路包括一个或多个带有动态可控电阻的电阻器，由开关时一个或多个MOSFET结构的栅极和/或漏极电势的变化控制。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。
摘要（英）：

Aspects of the present disclosure describe MOSFET devices that have snubber circuits. The snubber circuits comprise one or more resistors with a dynamically controllable resistance that is controlled by changes to a gate and/or drain potentials of the one or more MOSFET structures during switching events.

公开/授权文献
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