发明授权
CN104099575B 一种磁控溅射装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种磁控溅射装置
-
申请号: CN201410332106.1申请日: 2014-07-11
-
公开(公告)号: CN104099575B公开(公告)日: 2016-08-03
- 发明人: 马海船 , 辛旭 , 陈晓斌 , 刘鹏
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理商 申健
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明实施例提供一种磁控溅射装置,涉及真空镀膜领域,可改善腔体内部的等离子体分布状态,提高镀膜均匀性。所述磁控溅射装置包括腔体、设置在所述腔体内的基板、靶材;还包括位于所述基板与所述靶材之间的屏蔽罩;所述屏蔽罩包括屏蔽罩支架与悬浮电位板;其中,所述屏蔽罩支架具有第一镂空区域;所述悬浮电位板具有第二镂空区域;所述悬浮电位板位于所述第一镂空区域内,且所述悬浮电位板与所述屏蔽罩支架相互绝缘。用于改善腔体内部的等离子体分布状态,提高镀膜均匀性的磁控溅射装置的制备。
公开/授权文献
- CN104099575A 一种磁控溅射装置 公开/授权日:2014-10-15
IPC分类: