发明授权
- 专利标题： 形成用于场板形成的阶梯式电介质的方法
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申请号： CN201410184065.6申请日： 2014-05-04
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公开(公告)号： CN104134694B公开(公告)日： 2018-09-21
- 发明人: S·彭哈卡 , N·特珀尔内尼
- 申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 赵蓉民
- 优先权： 13/886,709 2013.05.03 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/40 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
一种半导体器件(100)形成有在至少三个相继区域(104)(106)(108)和(110)上的阶梯式场板(134)，其中该阶梯式场板之下的每个区域中的总电介质厚度与前一区域相比至少厚10％。每个区域中的总电介质厚度是一致的。该阶梯式场板被形成在至少两个电介质层(116)和(122)之上，所述至少两个电介质层之中的至少总数减一数目的电介质层被图案化，以使得该阶梯式场板的一个或多个区域中的至少一部分图案化电介质层被移除。
公开/授权文献
- CN104134694A 形成用于场板形成的阶梯式电介质的方法 公开/授权日：2014-11-05
IPC分类:
