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发明授权
CN104170093B 半导体器件及其制造方法 有权

半导体器件及其制造方法
摘要：
一种MOSFET(1)，设置有：衬底(10)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；形成在栅极绝缘膜(20)上以围绕栅电极(30)的层间绝缘膜(40)；包含Ti和N且不包含Al的缓冲膜(51)；以及包含Ti、Al和Si的源电极(52)。MOSFET(1)具有其中形成的接触孔(80)，所述接触孔贯穿层间绝缘膜(40)，暴露衬底(10)的主表面(10A)，并且与栅电极(30)隔开。缓冲膜(51)形成为与接触孔(80)的侧壁表面(80A)接触。在衬底(10)的主表面(10A)上，源电极(52)被形成为使得所述源电极与该主表面接触，所述主表面通过形成缓冲膜(51)和接触孔(80)而被暴露。
摘要（英）：

A MOSFET (1) includes: a substrate (10); a gate insulating film (20); a gate electrode (30); an interlayer insulating film (40) formed on the gate insulating film (20) to surround the gate electrode (30); a buffer film (51) containing Ti and N and containing no Al; and a source electrode (52) containing Ti, Al, and Si. In the MOSFET (1), a contact hole (80) is formed away from the gate electrode (30) so as to extend through the interlayer insulating film (40) and expose a main surface (10A) of the substrate (10). The buffer film (51) is formed in contact with a side wall surface (80A) of the contact hole (80). The source electrode (52) is formed on and in contact with the buffer film (51) and the main surface (10A) of the substrate (10) exposed by forming the contact hole (80).

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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