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    半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置

    公开(公告)号：CN118974946A

    公开(公告)日：2024-11-15

    申请号：CN202380032549.6

    申请日：2023-03-17

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 青野正规 ,  后田敦史

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    摘要： 一种半导体装置，包含：芯片，其具有一侧的第一面以及另一侧的第二面；多个IGBT区，其隔开间隔地设置于所述芯片；边界区，其在所述芯片设置于多个所述IGBT区之间的区域；第一导电型的阴极区，其在所述边界区形成于所述第二面的表层部；第二导电型的阱区，其在所述边界区形成于所述第一面的表层部。

    SiC半导体装置
    2.
    发明公开
    SiC半导体装置

    公开(公告)号：CN118974944A

    公开(公告)日：2024-11-15

    申请号：CN202380032222.9

    申请日：2023-02-24

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 长屋圭祐 ,  中野佑纪 ,  山本兼司 ,  森诚悟

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

    摘要： 一种半导体装置(1A)，包含：芯片(2)，其包含SiC单晶，并具有主面(3)；沟槽构造(20)，其具有第一侧壁(22A)和第二侧壁(22B)，并形成于所述主面，其中，所述第一侧壁在所述SiC单晶的a轴方向上延伸，所述第二侧壁在所述SiC单晶的m轴方向上延伸；第一导电型的接触区(50)，其在所述芯片内从所述第二侧壁在所述a轴方向上隔开间隔地形成于沿着所述沟槽构造的区域。

    半导体芯片
    3.
    发明公开
    半导体芯片 审中-实审

    公开(公告)号：CN118613920A

    公开(公告)日：2024-09-06

    申请号：CN202280091328.1

    申请日：2022-12-19

    申请人： 住友电气工业株式会社

    发明人： 增田健良

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    摘要： 一种半导体芯片（1），具备沿第一方向（Y）排列配置的多个晶体管单元（100），所述晶体管单元具有：栅极布线（22a、22b），沿与所述第一方向正交的第二方向（X）延伸；以及第一导电型的第一半导体区域（17），沿所述第二方向延伸，所述栅极布线配置成使得在该栅极布线与相邻的所述晶体管单元的所述栅极布线之间产生的互感为负值，所述第一半导体区域配置成使得在该第一半导体区域与相邻的所述晶体管单元的所述第一半导体区域之间产生的互感为负值。

    半导体装置及其制造方法
    4.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118556294A

    公开(公告)日：2024-08-27

    申请号：CN202280085854.7

    申请日：2022-11-08

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 本堂英

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    摘要： 半导体装置包括：具有主面的芯片；形成于上述主面的IGBT区域；形成于上述主面的二极管区域；以使上述二极管区域露出且包覆上述IGBT区域的方式形成上述主面上的绝缘膜；以从上述绝缘膜局部地露出的方式埋设于上述绝缘膜中包覆上述IGBT区域的部分的插头电极；以使上述二极管区域露出的方式包覆上述插头电极的第一电极膜；以及包括包覆上述第一电极膜及上述二极管区域的第二电极膜的主面电极。

    碳化硅半导体装置及其制造方法、电力变换装置
    6.
    发明授权
    碳化硅半导体装置及其制造方法、电力变换装置 有权

    公开(公告)号：CN113544858B

    公开(公告)日：2024-08-16

    申请号：CN201980093714.2

    申请日：2019-09-27

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 野口宗隆

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

    摘要： 碳化硅半导体装置具备：在由碳化硅构成的半导体基板(10)上形成的n型的漂移层(20)、在漂移层(20)的表层部形成的p型的阱区域(30)、在阱区域(30)的表层部形成的n型的源极区域(40)、以与源极区域(40)、阱区域(30)和漂移层(20)相接的方式形成的栅极绝缘膜(50)、和在栅极绝缘膜(50)上形成的栅极(60)。该碳化硅半导体装置在从阱区域(30)与栅极绝缘膜(50)的界面向阱区域(30)侧预定的厚度的区域中含有氧。

    碳化硅半导体器件
    7.
    发明授权
    碳化硅半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN113396481B

    公开(公告)日：2024-08-09

    申请号：CN202080012332.5

    申请日：2020-01-22

    申请人： 住友电气工业株式会社

    发明人： 增田健良 ,  斋藤雄

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

    摘要： 碳化硅衬底具有第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区、第四杂质区和第五杂质区。在通过第一杂质区和第三杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上，p型杂质的浓度分布具有第一最大值和比呈现第一相对最大值的位置更靠近第一主表面的第三相对最大值。在通过第二杂质区和第四杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上，n型杂质的浓度分布具有第二相对最大值和比呈现第二相对最大值的位置更靠近第一主表面的第四相对最大值。第四相对最大值大于第三相对最大值，第三相对最大值大于第二相对最大值，并且第二相对最大值大于第一相对最大值。