填充沟道的方法和处理装置

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专利标题： 填充沟道的方法和处理装置
申请号： CN201410228924.7

申请日： 2014-05-27
公开(公告)号： CN104183535B

公开(公告)日： 2018-03-30
发明人: 铃木大介 , 高桥和也 , 冈田充弘 , 小森克彦 , 小野寺聪
申请人： 东京毅力科创株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
代理商 刘新宇; 张会华
优先权： 2013-110738 2013.05.27 JP
主分类号： H01L21/762
IPC分类号： H01L21/762

摘要：

本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。

摘要（英）：

The present disclosure provides a method for filling a trench formed on an insulating film of a workpiece. The method includes forming a first impurity-containing amorphous silicon film on a wall surface which defines the trench, forming a second amorphous silicon film on the first amorphous silicon film, and annealing the workpiece after the second amorphous silicon film is formed.

公开/授权文献

CN104183535A 填充沟道的方法和处理装置公开/授权日：2014-12-03

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/76	...组件间隔离区的制作
H01L21/762	....介电区