公开(公告)号：CN104183535B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410228924.7

申请日：2014-05-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木大介 ,  高桥和也 ,  冈田充弘 ,  小森克彦 ,  小野寺聪

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667

摘要： 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。

公开(公告)号：CN104183535A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410228924.7

申请日：2014-05-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木大介 ,  高桥和也 ,  冈田充弘 ,  小森克彦 ,  小野寺聪

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667

摘要： 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。

公开(公告)号：CN118086867A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311547604.3

申请日：2023-11-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小野寺聪 ,  户根川大和 ,  小川淳

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

摘要： 本公开涉及一种成膜方法和成膜装置，能够形成不易氧化的SiCN膜。基于本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：吸附工序，对基板供给原料气体来使所述原料气体吸附于所述基板，所述原料气体的分子中具有包含硅原子和碳原子的环状结构；热氮化工序，在包含氮化气体的气氛中对所述基板进行热处理，来将吸附于所述基板的所述原料气体热氮化；以及改性工序，将所述基板暴露于氢等离子体中，来将热氮化后的所述原料气体改性。