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公开(公告)号：CN104716020A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410764284.1
申请日：2014-12-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： C30B1/023 , C30B29/06 , C30B29/54 , Y10T117/10 , H01L21/02667 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。
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公开(公告)号：CN104716020B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410764284.1
申请日：2014-12-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。
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公开(公告)号：CN108239766A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711431130.0
申请日：2017-12-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/458 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67303 , C23C16/4585 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67011 , H01L21/68714
摘要： 成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。
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公开(公告)号：CN104183535A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410228924.7
申请日：2014-05-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02592 , H01L21/02645 , H01L21/02667
摘要： 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。
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公开(公告)号：CN103578939A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310325943.7
申请日：2013-07-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/223
CPC分类号： H01L21/22 , H01L21/223 , H01L21/67109 , H01L21/3245
摘要： 本发明提供一种杂质扩散方法，该方法是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法，其具备：将前述被处理基板及前述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序；将载置有前述被处理基板及前述虚设的被处理基板的前述基板载置夹具收纳于处理装置的处理室的工序；以及，在收纳有前述基板载置夹具的前述处理室内，使杂质相对于前述被处理基板的前述被扩散部位进行气相扩散的工序，在前述气相扩散工序中，前述要进行气相扩散的杂质是硼时，使用前述虚设的被处理基板的外表面是具有不吸附硼的性质的物质的基板作为前述虚设的被处理基板。
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公开(公告)号：CN104347353A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410375010.3
申请日：2014-07-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H01L21/02532 , H01L21/28525 , H01L21/76879
摘要： 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。
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公开(公告)号：CN108239766B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201711431130.0
申请日：2017-12-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/458 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/205
摘要： 成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。
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公开(公告)号：CN104347353B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410375010.3
申请日：2014-07-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要： 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。
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公开(公告)号：CN104183535B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410228924.7
申请日：2014-05-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02592 , H01L21/02645 , H01L21/02667
摘要： 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。
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