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发明公开
CN104302811A 全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模 有权

  • 专利标题： 全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模
  • 专利标题（英）： Metal hardmask all in one integrated etch
  • 申请号： CN201280072908.2
    申请日： 2012-05-02
  • 公开(公告)号： CN104302811A
    公开(公告)日： 2015-01-21
  • 发明人: 程宇 , 黄举文 , 裴慧远 , 刘建刚 , 崔英辰 , 王亮
  • 申请人： 朗姆研究公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 朗姆研究公司
  • 当前专利权人： 朗姆研究公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 上海胜康律师事务所
  • 代理商 李献忠
  • 国际申请： PCT/CN2012/074976 2012.05.02
  • 国际公布： WO2013/163796 EN 2013.11.07
  • 进入国家日期： 2014-10-31
  • 主分类号： C23F1/02
  • IPC分类号： C23F1/02
全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模
摘要：
本发明提供了一种用于在介电层中形成半导体触头的方法。部分通孔通过通孔掩模被蚀刻到介电层中。沟槽通过沟槽掩模被蚀刻到介电层中，其中蚀刻沟槽完成并过蚀刻通孔以拓宽通孔的底部。沟槽或通孔的顶部被整圆。
摘要（英）：

A method for forming conductive contacts in a dielectric layer is provided. Partial vias are etched into the dielectric layer through a via mask. Trenches are etched into the dielectric layer through a trench mask, wherein the etching the trenches completes and over etches the vias to widen bottoms of the vias. Tops of the trenches or vias are rounded.

公开/授权文献
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