发明授权
- 专利标题： 全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模
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申请号： CN201280072908.2申请日： 2012-05-02
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公开(公告)号： CN104302811B公开(公告)日： 2016-10-26
- 发明人: 程宇 , 黄举文 , 裴慧远 , 刘建刚 , 崔英辰 , 王亮
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理商 李献忠
- 国际申请： PCT/CN2012/074976 2012.05.02
- 国际公布： WO2013/163796 EN 2013.11.07
- 进入国家日期： 2014-10-31
- 主分类号： C23F1/02
- IPC分类号： C23F1/02
摘要：
本发明提供了一种用于在介电层中形成半导体触头的方法。部分通孔通过通孔掩模被蚀刻到介电层中。沟槽通过沟槽掩模被蚀刻到介电层中，其中蚀刻沟槽完成并过蚀刻通孔以拓宽通孔的底部。沟槽或通孔的顶部被整圆。
公开/授权文献
- CN104302811A 全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模 公开/授权日：2015-01-21
IPC分类:
