- 专利标题: 纵型高耐压半导体装置及纵型高耐压半导体装置的制造方法
-
申请号: CN201380018019.2申请日: 2013-03-29
-
公开(公告)号: CN104303311B公开(公告)日: 2017-10-13
- 发明人: 岩室宪幸 , 原田信介 , 星保幸 , 原田祐一
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李逸雪
- 优先权: 2012-081580 20120330 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/059777 2013.03.29
- 国际公布: WO2013/147276 JA 2013.10.03
- 进入国家日期: 2014-09-29
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/12
摘要:
碳化硅纵型MOSFET具有:第1导电型的N反转层(6),在第2半导体层基底层以外的表面层上所形成,该第2半导体层基底层在形成于基板的表面上的低浓度层上选择性地形成;栅电极层,被第1导电型的源极区域和第1导电型的N反转层(6)夹持,第2导电型的第3半导体层的表面露出部上的至少一部分,隔着栅极绝缘膜而形成;和源电极,在源极区域与第3半导体层的表面上共同接触,在N反转层(6)下的区域结合第2导电型半导体层的一部分。由此,利用将SiC等作为半导体材料的纵型SiC‑MOSFET的低导通电阻,并且即使在施加高电压时也能防止形成栅电极的氧化膜的击穿,并能够提高可靠性。
公开/授权文献
- CN104303311A 纵型高耐压半导体装置及纵型高耐压半导体装置的制造方法 公开/授权日:2015-01-21