Invention Grant
CN104321866B 半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件的制造方法
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Application No.: CN201280073539.9Application Date: 2012-09-14
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Publication No.: CN104321866BPublication Date: 2018-03-02
- Inventor: 绀野顺平 , 西田隆文 , 坂田贤治 , 木下顺弘 , 杉山道昭 , 木田刚 , 小野善宏
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 陈伟; 王娟娟
- International Application: PCT/JP2012/073666 2012.09.14
- International Announcement: WO2014/041684 JA 2014.03.20
- Date entered country: 2014-11-27
- Main IPC: H01L25/065
- IPC: H01L25/065 ; H01L21/60 ; H01L25/07 ; H01L25/18

Abstract:
一种半导体器件的制造方法,在布线衬底上,通过粘接材料分别层叠俯视时的平面尺寸不同的第一半导体芯片和第二半导体芯片,其中,在平面尺寸相对小的第一半导体芯片上搭载平面尺寸相对大的第二半导体芯片。另外,搭载了第一及第二半导体芯片之后,用树脂封固第一及第二半导体芯片。这里,第二半导体芯片和布线衬底的间隙用树脂封固之前,预先通过搭载第一及第二半导体芯片时使用的粘接材料填塞。
Public/Granted literature
- CN104321866A 半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2015-01-28
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IPC分类: