发明授权
- 专利标题: 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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申请号: CN201380022013.2申请日: 2013-03-18
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公开(公告)号: CN104321873B公开(公告)日: 2019-05-07
- 发明人: 木下明将 , 辻崇 , 福田宪司
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李逸雪
- 优先权: 2012-104234 2012.04.27 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/057743 2013.03.18
- 国际公布: WO2013/161449 JA 2013.10.31
- 进入国家日期: 2014-10-24
- 主分类号: H01L29/47
- IPC分类号: H01L29/47 ; H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/12 ; H01L29/41 ; H01L29/78 ; H01L29/872
摘要:
在碳化硅基板基体的表面层选择性地设置p+型区(3)、(4)以及p型区(5)。p+型区(3)设置在包围活性区(101)的耐压构造部(102)。p+型区(4)设置在活性区(101)且构成JBS构造。p型区(5)包围p+型区(3),构成结终端(JTE)构造。肖特基电极(9)与n型碳化硅外延层(2)形成肖特基结。此外,肖特基电极(9)在覆盖p+型区(3)的一部分以及p型区(5)的层问绝缘膜(6)上伸出,该伸出的部分作为场板发挥作用。由此,可以提供能够维持高耐压、且使用具有高可靠性的宽带隙半导体而构成的半导体装置及其制造方法。
公开/授权文献
- CN104321873A 半导体装置以及半导体装置的制造方法 公开/授权日:2015-01-28