本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，