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公开(公告)号：CN103547945B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201280024078.6
申请日：2012-05-15
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/2008 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B19/0095 , G02B27/0006 , G03F7/2004 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/265
摘要： 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响，提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50)，其包含具有多层系统(51)的反射表面，在该情况下，反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59)，保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。
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公开(公告)号：CN104254891A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380013152.9
申请日：2013-03-06
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C14/06 , C23C14/35 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要： 本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率的EUV波长范围的反射镜(1)，包含：基板(S)和层布置，其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M)，以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10ppb至10％之间，尤其介于100ppb和0.1％之间的杂质原子，使得非金属单独层(B,H,M)获得大于6*1010cm-3的电荷载流子密度和/或大于1*10-3S/m的电导率，尤其是大于6*1013cm-3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。
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公开(公告)号：CN106575076B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201580043465.8
申请日：2015-07-27
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： P.休伯
摘要： 本发明涉及用于EUV光刻的掩模(M)，包括：基底(7)，由设计用于反射EUV辐射(27)的多层涂层(8)的表面(8a)形成的第一表面区域(A1)，所述表面(8a)背朝基底(7)，以及由设计用于反射DUV辐射(28)并且抑制EUV辐射(27)的反射的另外的涂层(18)的表面(18a)形成的第二表面区域(A2)，表面(18a)背朝基底(7)。另外的涂层是多层涂层(18)。本发明还涉及包括这样的掩模(M)的EUV光刻设备以及用于确定当将掩模(M)成像到光敏层上时由DUV辐射(28)引起的对比度比例的方法。
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公开(公告)号：CN106575076A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043465.8
申请日：2015-07-27
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： P.休伯
CPC分类号： G03F1/24 , G01N21/33 , G03F1/44 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/60 , G03F7/70058 , G03F7/70591 , G03F7/70616 , G03F7/70941
摘要： 本发明涉及用于EUV光刻的掩模(M)，包括：基底(7)，由设计用于反射EUV辐射(27)的多层涂层(8)的表面(8a)形成的第一表面区域(A1)，所述表面(8a)背朝基底(7)，以及由设计用于反射DUV辐射(28)并且抑制EUV辐射(27)的反射的另外的涂层(18)的表面(18a)形成的第二表面区域(A2)，表面(18a)背朝基底(7)。另外的涂层是多层涂层(18)。本发明还涉及包括这样的掩模(M)的EUV光刻设备以及用于确定当将掩模(M)成像到光敏层上时由DUV辐射(28)引起的对比度比例的方法。
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公开(公告)号：CN102713761B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080061827.3
申请日：2010-12-02
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/70566
摘要： 本发明涉及一种用于特征化光学系统(尤其是微光刻投射曝光设备的光学系统)的偏振特性的布置及方法，该布置包含：至少一个偏振态产生器(130、230、330)，其设定入射于光学系统上的辐射的限定的偏振状态；以及偏振态检测器(140、240、340)，其适配于测量从该光学系统发出的辐射的出射偏振状态；其中该光学系统被设计用于小于15nm的工作波长；并且其中该偏振态产生器和/或该偏振态检测器被设计成其对入射光束的偏振光学作用在所述光束的至少10°的角谱上基本固定。
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公开(公告)号：CN105917255A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004334.9
申请日：2015-01-29
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种制造反射镜元件，尤其是微光刻投射曝光设备的反射镜元件的方法。根据本发明的方法包含以下步骤：提供基板(101，102，103，104，201，202，301，302，401，402，501，502，801，901，951，961)和在所述基板上形成层堆叠(111，112，113，114，211，212，311，312，411，412，511，512)，其中，形成层堆叠进行为使得反射镜元件的预定操作温度想要的期望曲率通过层堆叠施加的弯曲力产生，其中，在形成层堆叠之前，基板具有的曲率偏离反射镜元件的所述期望曲率，以及其中，由层堆叠施加的弯曲力至少部分通过进行改变层堆叠的层应力的后处理来产生。
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公开(公告)号：CN104335122A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380028021.8
申请日：2013-03-14
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02F1/0128 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B17/06 , G02B26/0816 , G02B27/0068 , G03F7/2008 , G03F7/70266 , G03F7/70891 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： 本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。
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公开(公告)号：CN104254891B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201380013152.9
申请日：2013-03-06
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C14/06 , C23C14/35 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要： 本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率的EUV波长范围的反射镜(1)，包含：基板(S)和层布置，其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M)，以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10ppb至10％之间，尤其介于100ppb和0.1％之间的杂质原子，使得非金属单独层(B,H,M)获得大于6*1010cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1*10‑3S/m的电导率，尤其是大于6*1013cm‑3的电荷载流子密度和/或大于1S/m的电导率。
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公开(公告)号：CN104335122B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380028021.8
申请日：2013-03-14
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G02F1/0128 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B17/06 , G02B26/0816 , G02B27/0068 , G03F7/2008 , G03F7/70266 , G03F7/70891 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： 本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，
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公开(公告)号：CN102713761A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080061827.3
申请日：2010-12-02
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/70566
摘要： 本发明涉及一种用于特征化光学系统(尤其是微光刻投射曝光设备的光学系统)的偏振特性的布置及方法，该布置包含：至少一个偏振态产生器(130、230、330)，其设定入射于光学系统上的辐射的限定的偏振状态；以及偏振态检测器(140、240、340)，其适配于测量从该光学系统发出的辐射的出射偏振状态；其中该光学系统被设计用于小于15nm的工作波长；并且其中该偏振态产生器和/或该偏振态检测器被设计成其对入射光束的偏振光学作用在所述光束的至少10°的角谱上基本固定。
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