- 专利标题: 一种高产率、高纯度的DAST源粉合成工艺
- 专利标题(英): High-yield high-purity DAST source powder synthetic process
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申请号: CN201410570172.2申请日: 2014-10-23
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公开(公告)号: CN104341342A公开(公告)日: 2015-02-11
- 发明人: 庞子博 , 孟大磊 , 马思睿 , 窦瑛 , 程红娟 , 洪颖 , 徐永宽
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址: 天津市河西区洞庭路
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 当前专利权人地址: 天津市河西区洞庭路
- 代理机构: 天津中环专利商标代理有限公司
- 代理商 王凤英
- 主分类号: C07D213/38
- IPC分类号: C07D213/38
摘要:
本发明公开了一种高产率、高纯度的DAST源粉合成工艺。合成工艺分为两步:1.以无水乙醇为溶剂,进行4-甲基吡啶与对甲苯磺酸甲酯的反应,制备出4-甲基-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐的无水乙醇溶液;2.以无水乙醇为溶剂,在二正丁胺或哌啶的催化作用下,通过4-甲基-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐与对二甲胺基苯甲醛的反应,可以获得高产率85-95%、高纯度90-95%的DAST源粉。采用无水乙醇为反应溶剂,避免了甲苯、甲醇等有毒有害溶剂对操作者身体的伤害,同时也减轻了废液对环境的污染;本发明的研发成功有利于培养高质量、大尺寸的DAST晶体,为DAST晶体及相关产品研究奠定了良好的物质与理论基础。
公开/授权文献
- CN104341342B 一种高产率、高纯度的DAST源粉合成工艺 公开/授权日:2016-04-13