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公开(公告)号：CN110641096A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911061682.6
申请日：2019-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种基于中等介电常数车削膜制备复合介质板的工艺。该工艺为：将幅面尺寸相同的、体积分数为64.5-80.0%的中等介电常数含陶瓷粉的聚四氟乙烯树脂车削膜与体积分数为20.0-35.5%的含聚四氟乙烯的玻纤布浸渍片按上下对称结构层叠排布成多层介质层；在多层介质层上下表面各覆盖一张铜箔；采用温度为370-390℃、压强6-16MPa、热压时间2-4h的热压烧结过程，使聚四氟乙烯树脂发生熔融粘接并最终定形，制备出介电常数为2.75-3.65的复合介质板。该板具有介电常数适中、介质损耗小、热膨胀系数较低等特点，可耐受酸碱腐蚀和冷热冲击等极端环境条件，可广泛应用于通信等相关领域。
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公开(公告)号：CN106751254B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201611123299.5
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种高介电常数覆铜箔微波介质板及其制备方法，表面改性，制备出改性陶瓷粉或改性玻璃纤维；将改性陶瓷粉50~80wt%、改性玻璃纤维2~10wt%和PTFE树脂15~45wt%充分混合；向混合物加入表面活性剂2~10wt%继续混合；再加入絮凝剂5~20wt%，直至形成沉淀，过滤；烘干粉碎成“面包屑”状物；加入2~20wt%塑化剂混合形成“面团状”物质；放入压延机上压延成型生基片；烘干；将烘干后的基片按一定顺序叠层，进行热压烧结，自然冷却。原材料经混合形成“面团”具有优异的流动性和成型性。通过压延辊反复压延，保证了厚度和介电性能均一性。采用压延工艺，克服模压工艺尺寸问题和均一性问题。
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公开(公告)号：CN104341342A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410570172.2
申请日：2014-10-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C07D213/38
CPC分类号： C07D213/38
摘要： 本发明公开了一种高产率、高纯度的DAST源粉合成工艺。合成工艺分为两步：1.以无水乙醇为溶剂，进行4-甲基吡啶与对甲苯磺酸甲酯的反应，制备出4-甲基-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐的无水乙醇溶液；2.以无水乙醇为溶剂，在二正丁胺或哌啶的催化作用下，通过4-甲基-N-甲基吡啶对甲苯磺酸盐与对二甲胺基苯甲醛的反应，可以获得高产率85-95%、高纯度90-95%的DAST源粉。采用无水乙醇为反应溶剂，避免了甲苯、甲醇等有毒有害溶剂对操作者身体的伤害，同时也减轻了废液对环境的污染；本发明的研发成功有利于培养高质量、大尺寸的DAST晶体，为DAST晶体及相关产品研究奠定了良好的物质与理论基础。
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公开(公告)号：CN112442243B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011286973.8
申请日：2020-11-17
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C08L27/18 , C08K3/36 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08J5/18 , C08J7/04 , C09D183/04 , C09D7/63 , H05K1/03
摘要： 本发明公开了一种聚四氟乙烯基陶瓷复合生基片制备方法。该方法有以下步骤：1、聚四氟乙烯基陶瓷复合生料坯的制备；2、聚四氟乙烯基陶瓷复合生坯表面预处理；3、聚四氟乙烯基陶瓷复合生坯表面润滑；4、聚四氟乙烯基陶瓷复合生坯压延成型。采用本发明可增加聚四氟乙烯基陶瓷复合材料生坯的成型性，润滑后的生坯在双轴压延机上进行交替双向压延成型，可制备出目标厚度（0.25±0.02）mm，厚度均匀性高、尺寸不小于（650±10）mm×（715±10）mm的生基片。本发明所产生的有益效果是：通过对聚四氟乙烯基陶瓷生坯进行表面浸润，降低生坯压延成型的阻力，增加了物料颗粒均匀流动性，可以获得高厚度均一性、大尺寸的生基片。
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公开(公告)号：CN112477359A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011289231.0
申请日：2020-11-17
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开一种高上胶量的聚四氟乙烯玻璃纤维覆铜板的制备工艺，该方法包括以下步骤：将聚四氟乙烯乳液、无机填料、增稠剂和消泡剂混合均匀，配制得到聚四氟乙烯分散液；玻璃纤维布通过浸渍烘烤干燥得到聚四氟乙烯玻璃纤维浸渍片；将浸渍片叠层后，两面覆上铜箔进行层压，制得聚四氟乙烯玻璃纤维覆铜板。本发明采用具有不同表面粗糙度的高精度计量辊，获得了上胶量可调的玻璃纤维浸渍片，克服了传统工艺需反复多次浸渍，以调节浸渍片上胶量的缺点，制得的覆铜板介电常数可在2.55~3.55之间调节，且具有较低的介质损耗和热膨胀系数、尺寸稳定性好，该制备工艺过程简单，易于操作，适合工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN112321491A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011138784.6
申请日：2020-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C07D213/20 , C07D213/127 , C07C303/32 , C07C303/44 , C07C309/30 , C07C303/28 , C07C309/73
摘要： 本发明公开了一种有机DSTMS晶体高纯生长原料合成方法。一、以均三甲苯基磺酰氯和甲醇为反应物，有机碱哌啶为缚酸剂，室温下反应获得2，4，6‑三甲基苯磺酸酯；二、4‑甲基吡啶和2，4，6‑三甲基苯磺酸酯溶于无水乙醇中，冷凝回流反应生成中间产物4‑甲基‑N‑甲基吡啶2，4，6‑三甲基苯磺酸盐；三、无水乙醇为溶剂，有机碱哌啶作催化剂，将对二甲基氨基苯甲醛和反应生成的中间产物混合，置于搅拌器中搅拌冷凝回流反应，最终获得DSTMS原料。本发明提供了高产率、高纯度、成本低、步骤简单的DSTMS原料合成工艺。通过工艺参数的调整，最终获得产率75%‑89%，纯度90‑96%的DSTMS原料。
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公开(公告)号：CN110744839A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911061683.0
申请日：2019-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B29D7/00
摘要： 本发明公开了一种基于低介电常数车削膜制备复合介质板的工艺。该工艺为：将幅面相同的、体积分数为20.0-65.0%的低介电常数含有二氧化硅陶瓷粉的全氟树脂车削膜与体积分数为9.0-70.0%的含聚四氟乙烯的玻纤布浸渍片、体积分数为10.0-56.5%全氟树脂车削膜按上下对称层叠成介质层；在介质层上下表面覆盖铜箔；采用温度为360-390℃、压强3-13MPa、热压时间2-5h的烧结过程，使全氟树脂车削膜发生熔融粘接并最终定形，制备出介电常数为2.14-2.74的复合介质板。该板具有介电常数低、介质损耗小、热膨胀系数较低的特点，可耐受酸碱腐蚀、冷热冲击等极端环境条件，广泛应用于通信等相关领域。
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公开(公告)号：CN106002498B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610618672.8
申请日：2016-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。其流程为：①在5000#砂纸上进行DAST晶体表面粗磨；②按体积比配制20%～80%乙酸乙酯和20%～80%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行晶体研磨；③按体积比配制55%～85%乙酸乙酯和15%～45%无水乙醇混合的研磨液，将DAST晶体在无纺布材质的研磨垫上进行细磨；④将DAST晶体置于乙酸乙酯溶液中清洗；⑤将DAST晶体置于50℃～80℃温度条件下，真空干燥5min～15min。本发明能够有效地去除DAST晶体表面的凹坑、生长台阶等宏观缺陷，降低了晶体的表面粗糙度，可得到具有较平整且易于后期加工的晶体表面。
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公开(公告)号：CN106751254A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611123299.5
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种高介电常数覆铜箔微波介质板及其制备方法，表面改性，制备出改性陶瓷粉或改性玻璃纤维；将改性陶瓷粉50~80wt%、改性玻璃纤维2~10wt%和PTFE树脂15~45wt%充分混合；向混合物加入表面活性剂2~10wt%继续混合；再加入絮凝剂5~20wt%，直至形成沉淀，过滤；烘干粉碎成“面包屑”状物；加入2~20wt%塑化剂混合形成“面团状”物质；放入压延机上压延成型生基片；烘干；将烘干后的基片按一定顺序叠层，进行热压烧结，自然冷却。原材料经混合形成“面团”具有优异的流动性和成型性。通过压延辊反复压延，保证了厚度和介电性能均一性。采用压延工艺，克服模压工艺尺寸问题和均一性问题。
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公开(公告)号：CN104098290A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410355359.0
申请日：2014-07-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： C04B26/10
摘要： 本发明涉及一种球型陶瓷粉体为填料的微波复合介质基板制备工艺，包括改性工艺：将球型陶瓷粉体放入酸性或中性溶剂中充分搅拌水解1~10h、向溶液中加入1wt%~10wt%偶联剂的硅烷偶联剂继续搅拌1~5h、将混合物放入烘箱干燥80~200℃下干燥1~10h；然后进行混合工艺；成型工艺；烧结工艺。本发明的技术效果是制备出的复合基板的致密度高，更加均匀，具有较高的有机-无机界面强度和优良的介电性能。
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